n沟道场效应管，N沟道场效应管接法

本文目录一览

1，N沟道场效应管接法
2，请问N沟道结型场效应管的失真情况如何是与晶体三级管相反吗
3，N沟道的场管是不是N类三极管
4，场效应管中N沟道增强性和耗尽型计算公式有区别吗
5，N沟道结型场效应管可以反向导通吗
6，场效应管中N沟道和P沟道的工作原理

1，N沟道场效应管接法

GS之间电压应为正值还是负值?答：VGS=+ -20伏。可靠导通时的电压是+20伏，可靠截止的电压是-20伏。驱动IRF630时，GS间电压为3.4V，但为什么不导通？答：3.4伏远远小于20伏所以不能导通。

N沟道场效应管接法

2，请问N沟道结型场效应管的失真情况如何是与晶体三级管相反吗

兄台是要讨论削波失真了。就削波失真来说，JFET与BJT差不多，都有截止削波失真和饱和削波失真，但是JFET的饱和压降更大些，因此饱和削波失真出现的更早。一般说BJT在Uce<1V以下时才出现饱和削波失真，而JFET在Uce向下达到<2V时就开始出现饱和削波失真了！

请问N沟道结型场效应管的失真情况如何是与晶体三级管相反吗

3，N沟道的场管是不是N类三极管

不是的场效应管和三极管不是同一个概念N表示硅材料的半导体P表示锗材料的半导体

不晓得N类三极管是啥概念,只能告诉你场效应管总体分为N沟道及P沟道两种

N沟道的场管不是N类三极管。两个不是一个概念，N沟道是在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，用光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，就是混合出来的；而三极管的N结就是纯粹的N型硅片，两者是不一样的，加工工艺也不一样，场效应管工艺要复杂的多。

N沟道的场管是不是N类三极管

4，场效应管中N沟道增强性和耗尽型计算公式有区别吗

场效应管按结构可分为结型场效应管（缩写为JFET）和绝缘栅场效应管（缩写为JGFET），从导电方式看，场效应管分为N型沟道型与P型沟道型。绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型两种，而JFET只有耗尽型。一、基本结构场效应管是利用改变电场来控制半导体材料的导电特性，不是像三极管那样用电流控制PN结的电流。因此，场效应管可以工作在极高的频率和较大的功率。此外，场效应管的制作工艺简单，是集成电路的基本单元。场效应管有结型和绝缘栅型两种主要类型。每种类型的场效应管都有栅极g、源极s和漏极d三个工作电极，同时，每种类型的场效应管都有N沟道和P沟道两种导电结构。绝缘栅型场效应管又叫做MOS管。根据在外加电压Vgs=0时是否存在导电沟道，绝缘栅场效应管又可分为上增强型和耗尽型。增强型MOS管在外加电压Vgs=0时不存在导电沟道，而耗尽型MOS的氧化绝缘层中加入了大量的正离子，即使在Vgs=0时也存在导电沟道。　N沟道绝缘栅型 g为栅极，s为源极，d为漏极，B衬底结型场效应管的结构与绝缘栅场效应管的结构基本相同，主要的区别在于栅极g与通道半导体之间没有绝缘。　N沟道和P沟道结型从场效应管的基本结构可以看出，无论是绝缘栅型还是结型，场效应管都是两个背靠背的PN结。电流通路不是由PN结形成的，而是依靠漏极d和源极s之间半导体的导电状态来决定的。

5，N沟道结型场效应管可以反向导通吗

结型场效应管可以反向工作。1、以N型为例，除栅极是P型外，其它两极D和S均连在N型层上——故D、S可以对调。2、场效应管具有双向导通性（即总是从通道的高压端流向低压端，即D→S，或S→D），这一点与双极型管完全不同，双极型管不能两个方向上导通，加反向高压只会使双极型管损坏。但绝缘栅场效应管（MOS）因有寄生二极管，不可反向（如反向，寄生二极管导通了）。知识：无论是NMOS管还是PMOS管，都只有一种载流子导电，故称其为单极型晶体管。

N-JFET的导通条件是：UGS(off) < UGS < 0简单的说，就是当N-JFET处于可变电阻区或恒流区的时候，管子是导通的。截止条件是：UGS < UGS(off)在导通的时候，UG一定是小于US，否则UGS就要变正数，就失去了对导电沟道的控制，很容易损坏G、S之间的PN结。可以仔细看一下童诗白的《模拟电子技术基础》第四版，P40-P44，很清楚的。

场效应管也是一种具有pn结的半导体器件。它利用电场的效应来控制电流，故以此得名。它除了具有输入端基本上不取电流的特点以外，还有便于集成化以及受辐射和温度的影响较少等优点。分为结型和绝缘栅型两类。用于放大、震荡、开关电路，特别是用于输入阻抗要求较高的电路。普通三极管也叫做双极型三极管，用小电流控制大电流，是一种电流控制元件。用于一般高频、低频信号的放大、震荡、开关电路。在要求不是很高的场合，两种管子可以通用。

6，场效应管中N沟道和P沟道的工作原理

原理：两种沟道都是利用多数载流移动来导电，N沟道的多数载流子是电子，p沟道是空穴，当沟道中有电场时，就会有大量载流子，形成通路，，电场消失，沟道消失。增强型场效应管是高电平导通（高电平时形成沟道），耗尽型是低电平导通谢谢采纳

根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。参考资料：http://blog.nnsky.com/blog_view_11314.html

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1。对于主板上来说，常用的场管为3055,15n03,45n03,60n03,还有70n03 2，3。说个简单的给你黑表笔接d极，红表笔接s极，有500欧左右的阻值为n沟红表笔接d极，黑表笔接s极，有500欧左右的阻值为p沟 4。至于代换，n沟代换n沟，p沟代换p沟，还有最好是使用相同型号或者是功率大一些的来代换（一般修主板的基本备用是60n03这个型号）