三极管工作原理，白话简述三极管工作原理

本文目录一览

1，白话简述三极管工作原理
2，三极管的原理
3，三极管工作原理怎样去了解三极管
4，三级管的工作原理
5，三极管的具体工作原理是什么
6，PNP三极管工作原理在起开关作用时的工作原理及工作电压电流分别

1，白话简述三极管工作原理

不要被三极管的空穴啦电子啦怎样运动搅晕。实用中以共射极放大电路为例，搞清两个回路就好办了：基极到发射极是一个小电流输入回路，通过三极管来控制集电极到发射极的大电流输出回路，或者使这个放大的电流，流过一个负载或电阻，在其两端取得高的电压。与输入回路相比，电流和电压就都得到了放大。 PNP与NPN可以简单理解成使用中把两个回路的电源极性反过来接。比如PNP基极输入回路需要负电位信号才能使三极管触发工作或放大；而NPN恰恰与之相反。这种放大关系与三极管自身的特性参数密切相关，这就需要查表或手册甚至经实验做出它的放大曲线了。

白话简述三极管工作原理

2，三极管的原理

你能提出这个问题，证明你知道三极管的一些基本功能，它对电流有放大的作用。以NPN三极管为例：在制作的时候，发射区通过参杂使电子浓度做的很大，基区的空穴浓度做的很小，而且很薄，容易穿透。当发射结正向偏置的时候，发射区的电子向基区涌，与空穴进行复合，这时形成了一个与电子移动方向相反的电流IE。由于发射区电子浓度做的很大，基区空穴浓度小，而且容易穿透，所以在集电结反向偏置的时候（可靠截至），从发射区涌来的电子，穿过了基区，而到达了集电区，形成了与电子移动相反的电流IC。基区被复合掉的空穴又被源源不断的补给上了，形成了与空穴移动方向相同的电流IB。通过上面的分析，你可以看出来，只需使基极有一个很小的电流，就会激发发射区的大量高浓度电子向集电区涌，如果发射区的电子没有被激发到极限的时候，此时三极管工作在放大状态。如果发射区的电子被激发到了极限，集电区的电子达到了饱和，三极管就工作在饱和状态。如果基极的空穴没有及时补给，也就是IB=0时，三极管工作在截至状态。这也就是三极管的工作原理。希望你能明白。

三极管的原理

3，三极管工作原理怎样去了解三极管

三极管的工作原理三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫建立偏置，否则会放大失真。在三极管的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大：当基极电压UB升高时，IB变大，IC也变大，IC 在集电极电阻RC的压降也越大，所以三极管集电极电压UC会降低，且UB越高，UC就越低，ΔUC=ΔUB。仅供参考，请参考有关书籍。

三极管工作原理怎样去了解三极管

4，三级管的工作原理

回答什么是三极管首先要先从什么是半导体开始。半导体其实也可以算是绝缘体，但是它与绝缘体的区别在于，（以下市能带论内容，不必完全理解，直到大概意思就行了）绝缘体禁带宽度要比半导体近代宽度大不少！所以，价带的电子不容易激发到导带，所以不导电，而半导体因为禁带宽度小，所以价带电子容易进入导带成为导电电子。所以半导体成为了重要的电学材料。以上是稍微的一点背景介绍。半导体（一般用的），分为n型半导体和p型半导体，n型半导体一般就是在本征半导体（纯净的无缺陷的半导体）中掺5族元素，如磷、砷等；p型半导体一般是在本征半导体中掺3族元素，如硼。三极管就是两层p型半导体中间夹着一层n型半导体，或者两层n型半导体中间夹着一层p型半导体，三层半导体分别引出电极，这就形成了一个三极管。但是有一点要注意，这三层半导体材料不是很随便就可以的，要满足一定的厚度，掺杂浓度，等等~~ 以下是三极管放大的原理（一般情况三极管都是用来放大的，下面是我以前回答别人时的答案，其实不是三极管本身具有放大（功率放大）功能，而是三极管基级与直流电源相连，由直流电源提供功率放大所需的能量。基级电流很小，但是由它引起的集电极电流变化却很大（主要针对npn管，pnp管放大能力相对弱），至于为什么能使集电极电流变化很大，最好看一下晶体管原理对晶体管内部电流的分析。有图是最好的，否则光靠文字说，不太好理解。再补充一点，从载流子角度来说，基级电流相当于提供发射极电流在基区复合掉的那部分，而发射极电流在流经基区时，有很少一部分与基区载流子复合（从晶体管结构来说，基区掺杂很低，也就是载流子浓度低，所以复合少），那么也就是说发射极电路损失少，那么基级电流补充的也就少，即基级电流很小。发射极电流既然大部分都免于复合，那么就到达了集电极，成为集电极电流，这部分相对于复合的部分来说是很大的。这样从外部看，三极管就有了放大作用~ 表达还是不是很清楚，请见谅~~ 当然三极管还有可能只利用发射结或者集电结当作二极管用，一般都是在集成电路中~

5，三极管的具体工作原理是什么

测判三极管的口诀三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。一、三颠倒，找基极大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管，图1是它们的电路符号和等效电路。测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。由图可见，红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极。假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时，我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极(参看图1、图2不难理解它的道理)。二、 PN结，定管型找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型(图1)。将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。三、顺箭头，偏转大找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。 (1) 对于NPN型三极管，穿透电流的测量电路如图3所示。根据这个原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b极→e极→红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”)，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。 (2) 对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的一定是集电极c(参看图1、图3可知)。四、测不出，动嘴巴若在“顺箭头，偏转大”的测量过程中，若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要“动嘴巴”了。具体方法是：在“顺箭头，偏转大”的两次测量中，用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极b，仍用“顺箭头，偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。其中人体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果更加明显。半导体三极管的分类半导体三极管亦称双极型晶体管，其种类非常多。按照结构工艺分类，有PNP和NPN型；按照制造材料分类，有锗管和硅管；按照工作频率分类，有低频管和高频管；一般低频管用以处理频率在3MHz以下的电路中，高频管的工作频率可以达到几百兆赫。按照允许耗散的功率大小分类，有小功率管和大功率管；一般小功率管的额定功耗在1W以下，而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。常见的半导体三极管外型见图2.5.1。半导体三极管的主要参数共射电流放大系数β。β值一般在20～200，它是表征三极管电流放大作用的最主要的参数。本新闻共6页,当前在第2页 1 2 3 4 5 6 作者：encycs 出处：浏览次数：3291

6，PNP三极管工作原理在起开关作用时的工作原理及工作电压电流分别

-----------------------------------纯手打，希望对你有帮助。---------------------------------1.PNP管放大原理：当PNP管的VC<VB<VE时，使得集电结反偏，发射结正偏时，管子的发射极电流流入管子，基极电流和集电极电流流出管子，且集电极电流跟基极电流之间成β关系，三极电流满足IE=IB+IC=IB(1+β·IB)。即，基极电流可以控制集电极电流，这种控制作用就称为管子的放大作用。2.开关作用原理：当管子的VC>VB，且VE>VB时，集电结和发射结都正偏，管子工作于饱和状态，此时管子的管压降约为0.1-0.3V。IC=VCC/RC ，即，集电极电流基本取决于集电极电源和集电极电阻，与IB无关，相当于一个闭合的开关。当VC<VB VE<VB时，两PN结均反偏，管子工作于截止状态。此时管子的三个电极均无电流。相当于一个断开的开关。3.电流电压值饱和时，IC=VCC/RC 管压降|UCE|=0.1-0.3v VC约等于VE 均大于VB，|VBE|=0.3V（锗管）或0.6V（硅管）截止时 IB、IC、IE均约为0.。（微安级的穿透电流，很小）

-----------------------------------纯手打,希望对你有帮助。---------------------------------1.PNP管放大原理:当PNP管的VC<VB<VE时,使得集电结反偏,发射结正偏时,管子的发射极电流流入管子,基极电流和集电极电流流出管子,且集电极电流跟基极电流之间成β关系,三极电流满足IE=IB+IC=IB(1+β·IB)。即,基极电流可以控制集电极电流,这种控制作用就称为管子的放大作用。2.开关作用原理:当管子的VC>VB,且VE>VB时,集电结和发射结都正偏,管子工作于饱和状态,此时管子的管压降约为0.1-0.3V。IC=VCC/RC,即,集电极电流基本取决于集电极电源和集电极电阻,与IB无关,相当于一个闭合的开关。当VC<VBVE<VB时,两PN结均反偏,管子工作于截止状态。此时管子的三个电极均无电流。相当于一个断开的开关。3.电流电压值饱和时,IC=VCC/RC管压降|UCE|=0.1-0.3vVC约等于VE均大于VB,|VBE|=0.3V(锗管)或0.6V(硅管)截止时IB、IC、IE均约为0.。(微安级的穿透电流,很小)

IE=IB+IC=IB+β·IB 放大时的电流应该是这样的吧？

B端给一个低电平信号使其导通工作电压电流视你用的pnp管子的型号定的开关作用就是 pnp的饱和导通与截止你的负载接到c端或者e端都可以但是一定要记得三极管的接地与你的低电平信号的地是一个否则会出问题不通的

赞通沉睡的月光。

-----------------------------------纯手打，希望对你有帮助。---------------------------------1.pnp管放大原理：当pnp管的vc<vb<ve时，使得集电结反偏，发射结正偏时，管子的发射极电流流入管子，基极电流和集电极电流流出管子，且集电极电流跟基极电流之间成β关系，三极电流满足ie=ib+ic=ib(1+β·ib)。即，基极电流可以控制集电极电流，这种控制作用就称为管子的放大作用。2.开关作用原理：当管子的vc>vb，且ve>vb时，集电结和发射结都正偏，管子工作于饱和状态，此时管子的管压降约为0.1-0.3v。ic=vcc/rc ，即，集电极电流基本取决于集电极电源和集电极电阻，与ib无关，相当于一个闭合的开关。当vc<vb ve<vb时，两pn结均反偏，管子工作于截止状态。此时管子的三个电极均无电流。相当于一个断开的开关。3.电流电压值饱和时，ic=vcc/rc 管压降|uce|=0.1-0.3v vc约等于ve 均大于vb，|vbe|=0.3v（锗管）或0.6v（硅管）截止时 ib、ic、ie均约为0.。（微安级的穿透电流，很小）