碳化硅衬底，LED衬底分哪几种

本文目录一览

1，LED衬底分哪几种
2，led衬底材料电阻率对LED的性能会有什么影响制作LED的碳化硅衬
3，国内生产碳化硅衬底的公司有哪些质量怎么样国内生产的碳化硅衬
4，sic 的掺杂物p 型n 型
5，LED衬底材料有哪些种类
6，衬底的材料选用

1，LED衬底分哪几种

GAN市场主流是使用蓝宝石。而CREE是使用碳化硅衬底，国内晶能也是用碳化硅衬底。如果是GaAs,它使用的衬底就是GaAs，红光的GaAs衬底也是主流。

LED衬底分哪几种

2，led衬底材料电阻率对LED的性能会有什么影响制作LED的碳化硅衬

如果是使用过的或者使用中的话就是电流过大导致的电流过大led工作时就会发热衬底是塑料。所以就烧黑了

从原理上讲（在加工方面的要求暂不讲），led的衬底材料要求1_有利于做外延时的晶格匹配，和2_有利于大功率LED工作时的散热。对第一项的要求，当然衬底材料的晶格越完整越好——缺陷越少越好，掺杂剂越少越好。从这点考虑的话，衬底的电阻率越高越好；对第二项的要求，掺杂剂越多，则导热效果越好，同时电阻率会越低。所以第一和第二项要求有一点矛盾，只有在成本与性能之间找一个平衡点。如果制作LED用碳化硅做衬底。因为碳化硅本身依靠声子导热的效果较好，所以就当然选择晶格越完整越好，即电阻率越高越好。（供参考）

led衬底材料电阻率对LED的性能会有什么影响制作LED的碳化硅衬

3，国内生产碳化硅衬底的公司有哪些质量怎么样国内生产的碳化硅衬

东天岳先进材料科技有限公司是专业从事蓝宝石和碳化硅单晶生长和加工的高新技术企业。公司的主要产品有2-6英寸蓝宝石和2-4英寸碳化硅单晶衬底，其产品广泛应用于半导体发光二极管（LED）、高功率高频电子器件等。公司同时建设了配套的蓝宝石和碳化硅单晶衬底加工线，采用自有的衬底加工技术，可以向客户提供开盒即用的蓝宝石和碳化硅单晶衬底。是国内目前少数能提供高质量半导体照明LED外延衬底的供应商。

上面几个回答了天科和山岳另外听说北京有一家。在国内也就这几家。质量嘛也就在国内用用了，国际上只能做做实验，没什么人用。

北京天科合达公司是国内唯一一家可以生产碳化硅衬底的企业

瀚天泰成电子科技（厦门）有限公司一家在中国厦门注册的中美合资企业。公司配备了可生产6英寸、4英寸和3英寸碳化硅外延晶片的外延生长系统、自动缺陷识别和扫描测试系统等，都是目前世界最先进的仪器和设备，超净间洁净度达到100级。可提供标准的4英寸和3英寸的碳化硅外延晶片

现在做这个的很少我知道山东天岳是做这一方面的但具体不是很了解再看看别人怎么说的。

只知道易成是最大的生产碳化硅微粉的~

国内生产碳化硅衬底的公司有哪些质量怎么样国内生产的碳化硅衬

4，sic 的掺杂物p 型n 型

本发明公开了利用基本上无深能级掺杂物的半绝缘SiC衬底的SiC MESFET。半绝缘衬底的利用可以减少MESFETs中的背栅效应。还提供了具有两个凹槽的栅极结构的SiC MESFETs。还提供了具有选择掺杂的p型缓冲层的MESFETs。这种缓冲层的利用可以在具有常规的p型缓冲层的SiC MESFETs之上降低到其三分之一的输出电导并产生3db的功率增益。还可以提供到p型缓冲层的地接触，p型缓冲层可以由两种p型层形成，其具有在衬底上形成的较高掺杂物浓度的层。根据本发明的实施例SiC MESFETs还可以利用铬作为肖特基栅极材料。此外，可以采用氧化物-氮化物-氧化物(ONO)钝化层以减少SiCMESFETs中的表面效应。同样，可以直接在n型沟道层上形成源和漏欧姆接触，因此，不需要制造n+区域，有关这种制造的步骤可以从制造工艺中去除。还公开了制造这种SiC MESFETs和用于SiC FETs的栅极结构以及钝化层的方法。专利主权项权利要求书 1.一种金属-半导体场效应晶体管，包括：半绝缘碳化硅衬底，其基本上无深能级掺杂物；在衬底上的n型导电性碳化硅的n型外延层；在n型外延层上的欧姆接触，其分别确定源区和漏区；以及在n型外延层上的肖特基金属接触，其位于欧姆接触之间并由此在源区和漏区之间，以便当偏压施加到肖特基金属接触时在n型外延层中的源区和漏区之间形成有源沟道。

5，LED衬底材料有哪些种类

目前市面上一般有三种材料可作为衬底：·蓝宝石（Al2O3）·硅 (Si)·碳化硅（SiC）除了以上三种常用的衬底材料之外，还有GaAS、AlN、ZnO等材料也可作为衬底，通常根据设计的需要选择使用。

对于制作led芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和led器件的要求进行选择。　　目前市面上一般有三种材料可作为衬底：蓝宝石（al2o3）、硅 (si) 、碳化硅（sic）　　蓝宝石衬底　　通常，gan基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；最后，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。因此，大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。图1示例了使用蓝宝石衬底做成的led芯片。　　硅衬底　　目前有部分led芯片采用硅衬底。硅衬底的芯片电极可采用两种接触方式，分别是l接触（laterial-contact , 水平接触）和v接触（vertical-contact，垂直接触），以下简称为l型电极和v型电极。通过这两种接触方式，led芯片内部的电流可以是横向流动的，也可以是纵向流动的。由于电流可以纵向流动，因此增大了led的发光面积，从而提高了led的出光效率。因为硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善，从而延长了器件的寿命。　　碳化硅衬底　　碳化硅衬底（美国的cree公司专门采用sic材料作为衬底）的led芯片电极是l型电极，电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积较大的大功率器件。采用碳化硅衬底的led芯碳化硅衬底的导热性能（碳化硅的导热系数为490w/(m·k)）要比蓝宝石衬底高出10倍以上。蓝宝石本身是热的不良导体，并且在制作器件时底部需要使用银胶固晶，这种银胶的传热性能也很差。使用碳化硅衬底的芯片电极为l型，两个电极分布在器件的表面和底部，所产生的热量可以通过电极直接导出；同时这种衬底不需要电流扩散层，因此光不会被电流扩散层的材料吸收，这样又提高了出光效率。但是相对于蓝宝石衬底而言，碳化硅制造成本较高，实现其商业化还需要降低相应的成本。

6，衬底的材料选用

对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底：·蓝宝石（Al2O3）·硅(Si)·碳化硅（SiC）蓝宝石衬底通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次，蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；最后，蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。因此，大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。图1示例了使用蓝宝石衬底做成的LED芯片。图1蓝宝石作为衬底的LED芯片使用蓝宝石作为衬底也存在一些问题，例如晶格失配和热应力失配，这会在外延层中产生大量缺陷，同时给后续的器件加工工艺造成困难。蓝宝石是一种绝缘体，常温下的电阻率大于1011Ω·cm，在这种情况下无法制作垂直结构的器件；通常只在外延层上表面制作n型和p型电极（如图1所示）。在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，结果使材料利用率降低、成本增加。由于P型GaN掺杂困难，当前普遍采用在p型GaN上制备金属透明电极的方法，使电流扩散，以达到均匀发光的目的。但是金属透明电极一般要吸收约30%~40%的光，同时GaN基材料的化学性能稳定、机械强度较高，不容易对其进行刻蚀，因此在刻蚀过程中需要较好的设备，这将会增加生产成本。蓝宝石的硬度非常高，在自然材料中其硬度仅次于金刚石，但是在LED器件的制作过程中却需要对它进行减薄和切割（从400nm减到100nm左右）。添置完成减薄和切割工艺的设备又要增加一笔较大的投资。蓝宝石的导热性能不是很好（在100℃约为25W/（m·K））。因此在使用LED器件时，会传导出大量的热量；特别是对面积较大的大功率器件，导热性能是一个非常重要的考虑因素。为了克服以上困难，很多人试图将GaN光电器件直接生长在硅衬底上，从而改善导热和导电性能。硅衬底目前有部分LED芯片采用硅衬底。硅衬底的芯片电极可采用两种接触方式，分别是L接触（Laterial-contact,水平接触）和V接触（Vertical-contact，垂直接触），以下简称为L型电极和V型电极。通过这两种接触方式，LED芯片内部的电流可以是横向流动的，也可以是纵向流动的。由于电流可以纵向流动，因此增大了LED的发光面积，从而提高了LED的出光效率。因为硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善，从而延长了器件的寿命。碳化硅衬底碳化硅衬底（美国的CREE公司专门采用SiC材料作为衬底）的LED芯片电极是L型电极，电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积较大的大功率器件。采用碳化硅衬底的LED芯片如图2所示。图2采用蓝宝石衬底与碳化硅衬底的LED芯片碳化硅衬底的导热性能（碳化硅的导热系数为490W/(m·K)）要比蓝宝石衬底高出10倍以上。蓝宝石本身是热的不良导体，并且在制作器件时底部需要使用银胶固晶，这种银胶的传热性能也很差。使用碳化硅衬底的芯片电极为L型，两个电极分布在器件的表面和底部，所产生的热量可以通过电极直接导出；同时这种衬底不需要电流扩散层，因此光不会被电流扩散层的材料吸收，这样又提高了出光效率。但是相对于蓝宝石衬底而言，碳化硅制造成本较高，实现其商业化还需要降低相应的成本。三种衬底的性能比较前面的内容介绍的就是制作LED芯片常用的三种衬底材料。这三种衬底材料的综合性能比较可参见表1。表1三种衬底材料的性能比较除了以上三种常用的衬底材料之外，还有GaAS、AlN、ZnO等材料也可作为衬底，通常根据设计的需要选择使用。