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离子注入,离子注入的辐射对人体有没有伤害

来源:整理 时间:2024-11-29 15:35:47 编辑:智能门户 手机版

1,离子注入的辐射对人体有没有伤害

有幅射,但很小,严格操作铅防护板隔离,设备严格接地,基本无问题,因为实际上并末发现半导体工厂离子注入工人,有明显身体伤害区别....旭.
对皮肤,发质,骨骼均有影响!

离子注入的辐射对人体有没有伤害

2,离子注入

离子注入:将从离子源中引出的低能离子束加速成具有几万到几十万电子伏的高能离子束后注入到固体材料表面,形成特殊物理、化学或力学性能表面改性层的过程,它具有原子冶金特征。
离子注入技术:把掺杂剂的原子引入固体中的一种材料改性方法。简单地说,离子注入的过程,就是在真空系统中,用经过加速的,要掺杂的原子的离子照射(注入)固体材料,从而在所选择的(即被注入的)区域形成一个具有特殊性质的表面层(注入层)。

离子注入

3,离子注入什么元素可以形成高阻区

离子注入什么元素可以形成高阻区长期生活在自然环境中的人类,对于自然物质有较强的适应能力。有人分析了人体中60多种常见元素的分布规律,发现其中绝大多数元素在人体血液中的百分含量与它们在地壳中的百分含量极为相似。但是,人类对人工合成的化学物质,其耐受力则要小得多。所以区别污染物的自然或人工属性,有助于估计它们对人类的危害程度。铅、镉、汞、砷等重金属,是由于工业活动的发展,引起在人类周围环境中的富集,通过大气、水、食品等进入人体,在人体某些器官内积累,造成慢性中毒,危害人体健康。

离子注入什么元素可以形成高阻区

4,离子注入的应用

在电子工业中,离子注入成为了微电子工艺中的一种重要的掺杂技术,也是控制MOSFET阈值电压的一个重要手段。因此在当代制造大规模集成电路中,可以说是一种必不可少的手段。离子注入的方法就是在真空中、低温下,把杂质离子加速(对Si,电压≥105 V),获得很大动能的杂质离子即可以直接进入半导体中;同时也会在半导体中产生一些晶格缺陷,因此在离子注入后需用低温进行退火或激光退火来消除这些缺陷。离子注入的杂质浓度分布一般呈现为高斯分布,并且浓度最高处不是在表面,而是在表面以内的一定深度处。离子注入的优点是能精确控制杂质的总剂量、深度分布和面均匀性,而且是低温工艺(可防止原来杂质的再扩散等),同时可实现自对准技术(以减小电容效应)。

5,什么是离子注入什么是离子注入机

当真空中有一束离子束射向一块固体材料时,离子束把固体材料的原子或分子撞出固体材料表面,这个现象叫做溅射;而当离子束射到固体材料时,从固体材料表面弹了回来,或者穿出固体材料而去,这些现象叫做散射;另外有一种现象是,离子束射到固体材料以后,受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来,并最终停留在固体材料中,这一现象就叫做离子注入。离子注入机由离子源、质量分析器、加速器、四级透镜、扫描系统和靶室组成,可以根据实际需要省去次要部位。离子源是离子注入机的主要部位,作用是把需要注入的元素气态粒子电离成离子,决定要注入离子的种类和束流强度。离子源直流放电或高频放电产生的电子作为轰击粒子,当外来电子的能量高于原子的电离电位时,通过碰撞使元素发生电离。碰撞后除了原始电子外,还出现正电子和二次电子。正离子进入质量分析器选出需要的离子,再经过加速器获得较高能量,由四级透镜聚焦后进入靶室,进行离子注入。

6,离子注入技术的基本信息

离子注入首先是作为一种半导体材料的掺杂技术发展起来的,它所取得的成功是其优越性的最好例证。低温掺杂、精确的剂量控制、掩蔽容易、均匀性好这些优点,使得经离子注入掺杂所制成的几十种半导体器件和集成电路具有速度快、功耗低、稳定性好、成品率高等特点。对于大规模、超大规模集成电路来说,离子注入更是一种理想的掺杂工艺。如前所述,离子注入层是极薄的,同时,离子束的直进性保证注入的离子几乎是垂直地向内掺杂,横向扩散极其微小,这样就有可能使电路的线条更加纤细,线条间距进一步缩短,从而大大提高集成度。此外,离子注入技术的高精度和高均匀性,可以大幅度提高集成电路的成品率。随着工艺上和理论上的日益完善,离子注入已经成为半导体器件和集成电路生产的关键工艺之一。在制造半导体器件和集成电路的生产线上,已经广泛地配备了离子注入机。70年代以后,离子注入在金属表面改性方面的应用迅速发展。在耐磨性的研究方面已取得显著成绩,并得到初步的应用,在耐腐蚀性(包括高温氧化和水腐蚀)的研究方面也已取得重要的进展。注入金属表面的掺杂原子本身和在注入过程中产生的点阵缺陷,都对位错的运动起“钉扎”作用,从而使金属表面得到强化,提高了表面硬度。其次,适当选择掺杂元素,可以使注入层本身起着一种固体润滑剂的作用,使摩擦系数显著降低。例如用锡离子注入En352轴承钢,可以使摩擦系数减小一半。尤其重要的是,尽管注入层极薄,但是有效的耐磨损深度却要比注入层深度大一个数量级以上。实验结果业已证明,掺杂原子在磨损过程中不断向基体内部推移,相当于注入层逐步内移,因此可以相当持久地保持注入层的耐磨性。 离子注入后形成的表面合金,其耐腐蚀性相当于相应合金的性能,更重要的是,离子注入还可以获得特殊的耐蚀性非晶态或亚稳态表面合金,而且离子注入和离子束分析技术相结合,作为一种重要的研究手段,有助于表面合金化及其机制的研究。离子注入作为金属材料改性的技术,还有一个重要的优点,即注入杂质的深度分布接近于高斯分布,注入层和基体之间没有明显的界限,结合是极其紧密的。又因为注入层极薄,可以使被处理的样品或工件的基体的物理化学性能保持不变,外形尺寸不发生宏观的变化,适宜于作为一种最后的表面处理工艺。离子注入由于化学上纯净、工艺上精确可控,因此作为一种独特的研究手段,还被广泛应用于改变光学材料的折射率、提高超导材料的临界温度,表面催化、改变磁性材料的磁化强度和提高磁泡的运动速度和模拟中子辐照损伤等等领域。
文章TAG:离子离子注入注入辐射离子注入

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