空间电荷区，请问 YLouis 关於空间电荷区耗尽层势垒区三者的进

来源：整理时间：2024-11-05 13:41:26 编辑：智能门户手机版

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1，请问 YLouis 关於空间电荷区耗尽层势垒区三者的进
2，半导体物理中空间电荷区耗尽层势垒区三者的含义一
3，模拟电子技术中空间电荷区会不会导电啊谢谢
4，空间电荷区的基本概念
5，为什么会形成空间电荷区
6，空间电荷区是由电子空穴还是由正负离子构成的空间电荷区为何又

1，请问 YLouis 关於空间电荷区耗尽层势垒区三者的进

不是书写错了。这三个区域在定义上是完全不同的，但是在某些条件下对应同一区域。书不是断章取义地读的。比如空间电荷区，也有可能是势阱的。另外空间电荷区有可能是耗尽层，但也有可能不是。

请问 YLouis 关於空间电荷区耗尽层势垒区三者的进

2，半导体物理中空间电荷区耗尽层势垒区三者的含义一

显然不一样。这些区域都存在于两半导体或者半导体-金属接触的地方，空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度的区域，而耗尽层则相反。势垒区指由于不同费米面的半导体之间或者半导体-金属之间由于接触而引起载流子重新分配后形成势垒的区域。

半导体物理中空间电荷区耗尽层势垒区三者的含义一

3，模拟电子技术中空间电荷区会不会导电啊谢谢

pn结中的空间电荷区是自由电子填充空穴形成的，属于绝缘性质。不会导电。在p正n负的正向电压作用下，空间电荷区会变窄。正向电压较大，空间电荷区减小到0时，pn结就导通了。在p负n正的反向电压作用下，空间电荷区会变宽。反向电压很大时，pn结就会被击穿。如赞成拙说，打算了解详情，请参看元增民《模拟电子技术》，中国电力出版社2009

模拟电子技术中空间电荷区会不会导电啊谢谢

4，空间电荷区的基本概念

空间电荷区也称耗尽层，在PN结中，由于自由电子的扩散运动和内电场导致的漂移运动，使PN结中间的部位(P区和N区交界面)产生一个很薄的电荷区,它就是空间电荷区。

空间电荷区也称耗尽层.在pn结中,由于自由电子的扩散运动和内电场导致的漂移运动,使pn结中间的部位(p区和n区交界面)产生一个很薄的电荷区,它就是空间电荷区.向左转|向右转

5，为什么会形成空间电荷区

把在pn结附近的电离施主和电离受主所带电荷称为空间电百荷。它们所存在的区域称为空间电荷区。（电离施主和电离受主就是离子）在pn结的空间度电荷区中能带发生弯曲，这是空间电荷区中电势能变化的结果。因能带弯曲，电子从势能低的n区向势能高的p区运动时，必须克服这一势能“高坡"，才能达到p区；同理，空穴也必须克服这一势能“高坡"，才能从p区到达n区，这一势能“高坡，通常称为pn结的势垒，故知空间电荷区也叫势垒区。势垒区中势能比n区导带底高0．1eV处，价带空穴浓度为p区多数载流子的10^道-10倍，而该处的导带电子浓度为n区多数载流子的1/50。一般室温附近，对于绝版大部分势垒区，其中杂质虽然都已电离，但载流子浓度比起n区和p区的多数载流子浓度小得多，好像已经耗尽了。所以通常也称势垒区为耗尽层，即认为其中载流子浓度很小，可以忽权略，空间电荷密度就等于电离杂质浓度。向左转|向右转参考资料：《半导体物理》刘恩科第七版

参考资料《半导体物理与器件》第四版赵毅强、姚素英等译1、起初来，在冶金结所处的位置，电子和空穴的浓度都有一个很大的浓度梯度；2、由于存在浓度梯度，N区的多子电子向P区扩散，留下带正电的施主离子；P区的多子空穴向N区扩散，留下带负电自的受主离子；3、N区和P区的净正电荷和净负电荷（即2中所讲百的施主离子和受主离子）在冶金结附近感应出一个度内建电场，对扩散的载流子产生一个电场力（方向与扩散力相反）；4、当电场力与扩散力相等时，达到一个动态平衡，冶金结附近形成空间电荷区。如图：

6，空间电荷区是由电子空穴还是由正负离子构成的空间电荷区为何又

电子和空穴构成的。空间电荷，在pn结中，电子和空穴带有相反的电荷，它们在扩散过程中要产生复合（中和），结果使P区和N区中原来的电中性被破坏。空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度的区域。空间电荷指流子浓度超过原载流子浓度。在PN结中，由于自由电子的扩散运动和内电场导致的漂移运动，使PN结中间的部位(P区和N区交界面)产生一个很薄的电荷区，所以空间电荷区为何又称为耗尽层。扩展资料空间电荷区的变化当p-n结上加有正向电压时，所产生电场的方向即与内建电场的方向相反，互相抵消，使得空间电荷区中的总电场有所降低，从而其中的正、负空间电荷也就有所减少，结果，空间电荷区的厚度也就减小了。相反，当p-n结上加有反向电压时，所产生电场的方向即与内建电场的方向一致，互相增强，使得空间电荷区中的总电场有所提高，从而也就使得空间电荷区中的电荷增多、厚度增大了。p-n结的单向导电性和扩散电容效应，也就是势垒高度随着电压而发生变化所产生的一种效应；而势垒电容是势垒区的厚度（空间电荷区的宽度）随着电压而发生变化所产生的一种效应。由于势垒厚度的变化（即空间电荷区的变化）是p-n结两边多数载流子的运动所致，因此相应的势垒电容在很高的频率下也会起作用，往往是决定器件截止频率的重要因素。如果所加的正向电压过高（例如超过1V）时，内建电场就完全被抵消了，空间电荷区也就不存在了，厚度变为0，这时p-n结也就失效了。当然，若在回路（例如开关电路）中接有适当的电阻，限制了电流，虽然p-n结不会损坏，但是通过的电流已经不再是受到势垒限制的那样随着电压而指数式上升的电流了。因此，只要是能够正常进行整流、检波等工作的p-n结，其中就必将具有一定厚度的空间电荷区参考资料来源：搜狗百科-空间电荷区参考资料来源：搜狗百科-空间电荷

空间电荷区是由不能移动的杂质离子构成，由于p区中的空穴扩散到n区，n区中自由电子扩散到p区并且与空穴复合，形成了空间电荷区，同时建立了内电场。内电场会阻碍多子的扩散，也会促进交界处的少子产生漂移运动。由于空间电荷区中的载流子几乎被消耗殆尽，所以又称为耗尽区，pn结内电场阻止多子扩散，所以又称阻挡层或势垒区。

把在pn结附近的电离施主和电离受主所带电荷称为空间电荷。它们所存在的区域称为空间电荷区。（电离施主和电离受主就是离子）在pn结的空间电荷区中能带发生弯曲，这是空间电荷区中电势能变化的结果。因能带弯曲，电子从势能低的n区向势能高的p区运动时，必须克服这一势能“高坡"，才能达到p区；同理，空穴也必须克服这一势能“高坡"，才能从p区到达n区，这一势能“高坡，通常称为pn结的势垒，故空间电荷区也叫势垒区。势垒区中势能比n区导带底高0．1eV处，价带空穴浓度为p区多数载流子的10^-10倍，而该处的导带电子浓度为n区多数载流子的1/50。一般室温附近，对于绝大部分势垒区，其中杂质虽然都已电离，但载流子浓度比起n区和p区的多数载流子浓度小得多，好像已经耗尽了。所以通常也称势垒区为耗尽层，即认为其中载流子浓度很小，可以忽略，空间电荷密度就等于电离杂质浓度。参考资料：《半导体物理》刘恩科第七版

不同的结形成不同。