氮化硅，氮化硅的化学式

本文目录一览

1，氮化硅的化学式
2，氮化硅是什么化合物什么晶体
3，氮化硅的化学式
4，氮化硅有哪些应用
5，氮化硅的性质
6，Si3N4的简介

1，氮化硅的化学式

分子式为Si3N4,是一种重要的结构陶瓷材料

Si3N4

氮化硅的化学式

2，氮化硅是什么化合物什么晶体

氮化硅（Si3N4）是一种重要的结构陶瓷材料.它是一种超硬物质,本身具有润滑性,并且耐磨损,为原子晶体.

原子晶体

是共价化合物，原子晶体

氮化硅是什么化合物什么晶体

3，氮化硅的化学式

Si3N4,

一般写这样的化学式是注意的是，如果你学了元素周期表的话，就简单了，一般非金属性强的非金属元素显负价，相对非金属性弱的显正价。负价=8-最外层电子数。正价=最外层电子数。所以氮化硅的化学式是si3n4。

氮化硅的化学式

4，氮化硅有哪些应用

氮化硅陶瓷具有高强度、高弹性模量、耐磨、耐氧化、耐腐蚀、抗热冲击等优良性能。除已成为金属切削工具的重要材料外，在许多领域得到应用并有许多潜在的用途。在陶瓷发动机中，用来制备定子、转子、涡形管等部件；氮化硅膜用作微电子技术电绝缘层；氮化硅晶须用于增强氧化铝、碳化硅及玻璃陶瓷基和铝基复合材料。在冶金、化学、机械、电子和军事工业上有广泛的应用。氮化硅陶瓷的烧成可采用硅粉预先成型，然后在通氮的情况下烧结而成(反应烧结法)，是使氮化硅的形成和烧结同时完成；或采用硅粉氮化反应合成氮化硅粉后热压而成 (烧结法)。氮化硅膜是由氯化硅-氨 -氢等体系在一定温度下用气相沉积法形成，或采用射频溅射法形成。此外，纳米氮化硅具有很高的化学稳定性，耐高温性能，良好的机械性能及优异的介电性能（高介电常数，高介电强度），在许多领域有着广泛的应用. 作为一种重要的陶瓷材料，目前对它的表面改性大多是采用烧结助剂包覆氮化硅粉粒，提高烧结助剂在氮化硅浆料中的分散程度及浆料的流动性，从而提高陶瓷制品烧结密度和性能稳定性。

5，氮化硅的性质

氮化硅陶瓷是一种重要的结构材料，它是一种超硬物质，本身具有润滑性，并且耐磨损；除氢氟酸外，它不与其他无机酸反应，抗腐蚀能力强，高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1 000 ℃以上，急剧冷却再急剧加热，也不会碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此优异的特性，人们常常利用它来制造轴承、气轮机叶片、机械密封环、永久性模具等机械构件。如果用耐高温而且不易传热的氮化硅陶瓷来制造发动机部件的受热面，不仅可以提高柴油机质量，节省燃料，而且能够提高热效率。我国及美国、日本等国家都已研制出了这种柴油机。http://www.pep.com.cn/200406/ca433979.htm

氮化硅，分子式为si3n4,是一种重要的结构陶瓷材料。它是一种超硬物质，本身具有润滑性，并且耐磨损；除氢氟酸外，它不与其他无机酸反应(反应方程式：si3n4+4hf+9h2o=====3h2sio3(沉淀)+4nh4f），抗腐蚀能力强，高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1 000 ℃以上，急剧冷却再急剧加热，也不会碎裂。相对分子质量140.28。灰色、白色或灰白色。六方晶系。晶体呈六面体。密度3.44。硬度9~9.5，努氏硬度约为2200，显微硬度为32630mpa。熔点1900℃（加压下）。通常在常压下1900℃分解。比热容为0.71j/(g·k)。生成热为-751.57kj/mol。热导率为16.7w/(m·k)。线膨胀系数为2.75×10-6/℃(20~1000℃)。不溶于水。溶于氢氟酸。在空气中开始氧化的温度1300~1400℃。比体积电阻，20℃时为1.4×105 ·m,500℃时为4×108 ·m。弹性模量为28420~46060mpa。耐压强度为490mpa（反应烧结的）。1285摄式度时与二氮化二钙反应生成二氮硅化钙，600度时使过渡金属还原，放出氮氧化物。抗弯强度为147mpa。可由硅粉在氮气中加热或卤化硅与氨反应而制得。可用作高温陶瓷原料。氮化硅陶瓷材料具有热稳定性高、抗氧化能力强以及产品尺寸精确度高等优良性能。由于氮化硅是键强高的共价化合物，并在空气中能形成氧化物保护膜，所以还具有良好的化学稳定性，1200℃以下不被氧化，1200~1600℃生成保护膜可防止进一步氧化，并且不被铝、铅、锡、银、黄铜、镍等很多种熔融金属或合金所浸润或腐蚀，但能被镁、镍铬合金、不锈钢等熔液所腐蚀。

6，Si3N4的简介

氮化硅，固体的Si3N4是原子晶体，是空间立体网状结构，每个Si和周围4个N共用电子对，每个N和周围3个Si共用电子对，空间几何能力比较强的话你可以自己想象一下......大体上是和金刚石中的碳原子结构类似，不过是六面体又称六方晶体。是一种高温陶瓷材料，硬度大、熔点高、化学性质稳定工业上常常采用纯Si和纯N2在1300度制取得到。氮化硅是由硅元素和氮元素构成的化合物。在氮气气氛下，将单质硅的粉末加热到1300-1400°C之间，硅粉末样品的重量随着硅单质与氮气的反应递增。在没有铁催化剂的情况下，约7个小时后硅粉样品的重量不再增加，此时反应完成生成Si3N4。除了Si3N4外，还有其他几种硅的氮化物（根据氮化程度和硅的氧化态所确定的相对应化学式）也已被文献所报道。比如气态的一氮化二硅（Si2N）、一氮化硅（SiN）和三氮化二硅（Si2N3)。这些化合物的高温合成方法取决于不同的反应条件（比如反应时间、温度、起始原料包括反应物和反应容器的材料）以及纯化的方法。Si3N4是硅的氮化物中化学性质最为稳定的（仅能被稀的HF和热的H2SO4分解），也是所有硅的氮化物中热力学最稳定的。所以一般提及“氮化硅”时，其所指的就是Si3N4。它也是硅的氮化物中最重要的化合物商品。在很宽的温度范围内氮化硅都是一种具有一定的热导率、低热膨胀系数、弹性模量较高的高强度硬陶瓷。不同于一般的陶瓷，它的断裂韧性高。这些性质结合起来使它具有优秀的耐热冲击性能，能够在高温下承受高结构载荷并具备优异的耐磨损性能。常用于需要高耐用性和高温环境下的用途，诸如气轮机、汽车引擎零件、轴承和金属切割加工零件。美国国家航空航天局的航天飞机就是用氮化硅制造的主引擎轴承。氮化硅薄膜是硅基半导体常用的绝缘层，由氮化硅制作的悬臂是原子力显微镜的传感部件。可在1300-1400°C的条件下用单质硅和氮气直接进行化合反应得到氮化硅： 3 Si(s) + 2 N2(g) → Si3N4(s) 也可用二亚胺合成 SiCl4(l) + 6 NH3(g) → Si(NH)2(s) + 4 NH4Cl(s) 在0 °C的条件下 3 Si(NH)2(s) → Si3N4(s) + N2(g) + 3 H2(g) 在1000 °C的条件下或用碳热还原反应在1400-1450°C的氮气气氛下合成： 3 SiO2(s) + 6 C(s) + 2 N2(g) → Si3N4(s) + 6 CO(g) 对单质硅的粉末进行渗氮处理的合成方法是在二十世纪50年代随着对氮化硅的重新“发现”而开发出来的。也是第一种用于大量生产氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料纯度低会使得生产出的氮化硅含有杂质硅酸盐和铁。用二胺分解法合成的氮化硅是无定形态的，需要进一步在1400-1500°C的氮气下做退火处理才能将之转化为晶态粉末，二胺分解法在重要性方面是仅次于渗氮法的商品化生产氮化硅的方法。碳热还原反应是制造氮化硅的最简单途径也是工业上制造氮化硅粉末最符合成本效益的手段。电子级的氮化硅薄膜是通过化学气相沉积或者等离子体增强化学气相沉积技术制造的: 3 SiH4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 H2(g) 3 SiCl4(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 12 HCl(g) 3 SiCl2H2(g) + 4 NH3(g) → Si3N4(s) + 6 HCl(g) + 6 H2(g) 如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用：利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同，生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。特别是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时，能通过调节沉积参数来减少张力。先利用溶胶凝胶法制备出二氧化硅，然后同时利用碳热还原法和氮化对其中包含特细碳粒子的硅胶进行处理后得到氮化硅纳米线。硅胶中的特细碳粒子是由葡萄糖在1200-1350°C分解产生的。合成过程中涉及的反应可能是： SiO2(s) + C(s) → SiO(g) + CO(g) 3 SiO(g) + 2 N2(g) + 3 CO(g) → Si3N4(s) + 3 CO2(g) 或 3 SiO(g) + 2 N2(g) + 3 C(s) → Si3N4(s) + 3 CO(g) 作为粒状材料的氮化硅是很难加工的——不能把它加热到它的熔点1850°C以上，因为超过这个温度氮化硅发生分解成硅和氮气。因此用传统的热压烧结技术是有问题的。把氮化硅粉末粘合起来可通过添加一些其他物质比如烧结助剂或粘合剂诱导氮化硅在较低的温度下发生一定程度的液相烧结后粘合成块状材料。但由于需要添加粘合剂或烧结助剂，所以这种方法会在制出的块状材料中引入杂质。使用放电等离子烧结是另一种可以制备更纯净大块材料的方法，对压实的粉末在非常短的时间内进行电流脉冲，用这种方法能在1500-1700°C的温度下得到紧实致密的氮化硅块状物。