赝势，锂离子电池中的赝电势指的是什么

1，锂离子电池中的赝电势指的是什么

假想的电动势。不是真实的势,该股概念在能带计算中被广泛应用,在离子实内部用假想的势能取代真实的势能,求解波动方程时,如不改变能量的本征值及离子实之间的区域的波函数,称假想的这种势能为赝视.

支持一下感觉挺不错的

锂离子电池中的赝电势指的是什么

2，赝势应怎么取呀

可以和实验晶格常数进行比较。那个实验值符合的好，就用那个吧

比如实验上测量si的fcc晶格常数是5 angstom, 用Si.lda.upf赝势去计算si 的primitive cell 的能量，分别取lattice constant 为4.5 4.6 4.7 .4.8 4.9 5.0 5.1 5.2 5.3.....，找到能量最小值时的lattice constant。这个值称为理论值，該值与实验值越接近说明赝势就越好。

直接进行结构优化，对立方结构的可以采取xwyan 所说的方法

用GGA和LDA分别算，哪个符合的好，用哪个。

怎么用赝势算出晶格常数呀我刚开始学有很多都不懂

赝势应怎么取呀

3，常用的赝势有哪些

也是你提的吧？把我的回答也拷贝过来：赝势现在分为ECP和MCP两种,前一种是常用的,后一种在gamess里才能见到.赝势实际上就是核的库仑势V加上一个短程非厄密的排斥势,两项之和使总的势减弱,变得比较平坦.虽然是赝波函数,但由此得到的能量并非"赝能量",而是相应于真实晶体价态的本征能量.赝势的导出不是唯一的,原始的赝势方法建立在正交化平面波基础上,对一个由许多原子组成的固体,坐标空间根据波函数的不同特点可分成两部分:(1)近原子核区域,所谓的芯区.波函数由紧束缚的芯电子波函数组成,与近邻原子的波函数相互作用很小;(2)其余区域,价电子波函数交叠并相互作用.尽管芯区的势很强地吸引价电子,但是正交化平面波方法中对价态与芯态正交的要求而产生的大动能,对价态的贡献如同一个有效的排斥势.两者之和是价态的有效势,与核的库仑势相比,这种有效势较弱.常用所谓经验赝势的方法（见固体的能带）。这种方法是用只包含几个参数的所谓“赝势”近似描述电子在晶体内的势能场，从理论上计算出能带结论，然后通过拟合本征光谱的数据（如各奇点处的光子能量）反过来确定赝势中的参数。

常用的赝势有哪些

4，赝势法的基本原理为什么说选择具有不唯一性

赝势法原子周围的所有电子中,基本上仅有价电子具有化学活性。相邻原子的存在和作用对芯电子状态影响不大。这样,对一个由许多原子组成的固体,坐标空间根据波函数的不同特点可分成两部分(假设存在某个截断距离rc):(1)rc以内的核区域,所谓的芯区。波函数由紧束缚的芯电子波函数组成,对周围其它原子是否存在不敏感,即与近邻的原子的波函数相互作用很小;(2)rc以外的电子波函数(称为价电子波函数)承担周围其它原子的作用而变化明显。因此,从考虑原子之间相互作用(如固体的结合)的角度来看,可以将电子的波函数改变一下,在rc以外的价电子波函数仍然保留为真实波函数的形状,而在rc以内的波函数代之以空间变化平缓的形状,这样得到的电子波函数称为赝波函数。为了使得赝波函数成为原子的一个本征态,原子势(包括?3?第1期熊志华等:基于密度泛函理论的第一性原理赝势法核对价电子的库仑势和芯电子的存在对价电子的等效排斥势)需要同步改变成某种有效势,这就是赝势。相应的“赝势+赝波函数”系统统称为赝原子。赝原子用于描述真实原子自身性质时是不正确的,但是它对原子-原子之间相互作用的描述是近似正确的。近似程度的好坏,取决于截断距离rc的大小。rc越大,赝波函数越平缓,与真实波函数的差别越大,近似带来的误差越大;反之,rc越小,与真实波函数相等的部分就越多,近似引入的误差就越小。赝原子概念的引入有一个计算量方面的好处,即电子波函数振荡最激烈的部分(rc以内的部分)被代之以变化大为平缓的部分。从平面波展开赝波函数的角度看,这意味着平面波截断能量可以大为减小,即振荡最激烈的部分数目和总的计算量也大为减少。计算量的具体大小受截断半径rc选择方式的影响,rc越小,赝波函数振荡部分计入得越多,需要的平面波展开基底就越多,计算量也将增大,因此高的精度与少的计算量两者总是矛盾的。与LAPW,LMTO等精度最高的第一性原理计算方法比较,平面波赝势法是计算量较少的方法,适用于计算精度要求不高,同时原胞较复杂而计算量增加了严重的体系。基于密度泛函理论的第一性原理计算在过去的20年内取得了巨大的成功和显著的发展,极大地促进了凝聚态物理、量子化学、理论生物学等学科的发展。运用第一性原理计算,笔者在新能源材料计算和设计方面开展了一些研究工作。

额

5，赝势的赝势

在相互作用的粒子系统中引入的非真实势。研究实际气体和〖htk〗固体的能带〖ht〗等问题时，采取引入赝势的办法可使问题简化。研究二粒子系统散射问题时，由于真实作用势十分复杂，常把粒子当作刚球处理，使用刚球势（在r=a处有陡峭的无限高势垒，a是粒子的半径，r是粒子间的距离）。这时系统质心的〖htk〗薛定谔方程〖ht〗是k为相对波数。方程在r>?处的球对称解（k→0的s散射）为式中 c为一常数。若引入一个算符到薛定谔方程中[δ(r)是δ函数]，使方程变形为非齐次方程则在k→0和r≥?处ψe(r)和ψ(r)满足相同的方程和边界条件ψe(?)=0，且有相同的函数形式。算符在薛定谔方程中起着势的作用。这种人为地引入的势不是刚球模型中的真实势，故称作赝势。由于在势中引入了 δ函数，这种势可看作是在r=0处的势源。扩展到任意k值（非球对称情况）时则需作改正。精确算出的 s波散射的赝势算符应是其中η0是刚球势的s波相移，具有关系于是非齐次薛定谔方程右方所对应的各级数项分别相应于s波散射、p波散射、d波散射等效应。可见，引入赝势，就可以用r=0处势源的非齐次方程和边界条件 ψe(?)=0代替刚球势的齐次方程和边界条件，并用相移η0代替相对波数 k来表示系统的所有能级，这样，就便于深入讨论刚球模型的二体问题。这个方法可以推广到非常稀疏的n个粒子组成的气体系统。

也是你提的吧？把我的回答也拷贝过来：赝势现在分为ecp和mcp两种,前一种是常用的,后一种在gamess里才能见到.赝势实际上就是核的库仑势v加上一个短程非厄密的排斥势,两项之和使总的势减弱,变得比较平坦.虽然是赝波函数,但由此得到的能量并非"赝能量",而是相应于真实晶体价态的本征能量.赝势的导出不是唯一的,原始的赝势方法建立在正交化平面波基础上,对一个由许多原子组成的固体,坐标空间根据波函数的不同特点可分成两部分:(1)近原子核区域,所谓的芯区.波函数由紧束缚的芯电子波函数组成,与近邻原子的波函数相互作用很小;(2)其余区域,价电子波函数交叠并相互作用.尽管芯区的势很强地吸引价电子,但是正交化平面波方法中对价态与芯态正交的要求而产生的大动能,对价态的贡献如同一个有效的排斥势.两者之和是价态的有效势,与核的库仑势相比,这种有效势较弱.常用所谓经验赝势的方法（见固体的能带）。这种方法是用只包含几个参数的所谓“赝势”近似描述电子在晶体内的势能场，从理论上计算出能带结论，然后通过拟合本征光谱的数据（如各奇点处的光子能量）反过来确定赝势中的参数。

6，ECP雁势是什么意思

你说的应该是“赝势”，所谓“赝势”，就是把离子实的内部势能用假想的势能取代真实的势能，但在求解波动方程时，不改变能量本征值和离子实之间区域的波函数。由赝势求出的波函数叫赝波函数，在离子实之间的区域真实的势和赝势给出同样的波函数。简单来说，赝势就是不计算内层电子，而是把内层电子的贡献用一个势来描述，放在哈密顿里面。适用于重元素。赝势基组，实际上包括赝势和基组两个部分，内层电子采用赝势，即effective core potential (ECP)，外层价电子采用一般的基组。比如：LanL2DZ: D95V on first row, Los Alamos ECP plus DZ on Na-Bi.就是对第一行原子是 D95V (这个是非赝势基组)，对Na-Bi是使用一个叫做Los Alamos的有效核势加上一个DZ基组。所以Lanl2dz就是对前面的原子全电子基组，对后面的原子是赝势基组。（再次说明，量化里面，C，O那一行，算周期表的第一行）使用赝势的3个原因：1。没有相应的全电子基组。2。减少计算量。3。赝势可以包含重金属相对论效应的修正。在高斯中，lanl2dz基组，在手册中可以查到其定义为：LanL2DZ: D95V on first row , Los Alamos ECP plus DZ on Na-Bi，也就是说，对于C，O等元素来说（量化中，H大概算第0周期，C，O才是第一周期），Lanl2dz实际上还是全电子基组，而对于Na以后才是对内层电子用Los Alamos ECP赝势，外层电子用DZ 基组。使用赝势的输入文件：1.所有原子使用lanl2dz--------------------------#HF/lanl2dz optlanl2dz for all atoms0 2O 0.0 0.0 0.0C 0.0 0.0 1.2Cu 0.0 0.0 3.2--------------------------2.所有原子使用lanl2dz的另一种输入方法。--------------------------#HF/genecp optlanl2dz for all atoms0 2O 0.0 0.0 0.0C 0.0 0.0 1.2Cu 0.0 0.0 3.2C O 0lanl2dz****Cu 0lanl2dz //定义价电子的基组, C O 0 是碳，氧，零，其中零用作终止符号。****Cu 0lanl2dz //定义内层电子的赝势--------------------------3.混和基组，即有的使用全电子，有的使用Lanl2dz。格式同2。--------------------------#HF/genecp optlanl2dz for Cu, 6-31G(d) for C and O0 2O 0.0 0.0 0.0C 0.0 0.0 1.2Cu 0.0 0.0 3.2C O 06-31G(d) //另一种全电子基组****Cu 0lanl2dz //定义价电子的基组****Cu 0lanl2dz //定义内层电子的赝势参考http://blog.sina.com.cn/s/blog_485852c30100biuu.html