mos管是什么，三极管和MOS管的区别主要应用表现在哪些方面

来源：整理时间：2023-08-23 07:17:13 编辑：智能门户手机版

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1，三极管和MOS管的区别主要应用表现在哪些方面
2，逆变器大功率三极管有哪几种
3，MOS管很容易被损坏为什么
4，mos管对于微电子专业来说重要吗求详细解释
5，三极管可以用来干什么
6，CMOS器件的基本原理及结构

1，三极管和MOS管的区别主要应用表现在哪些方面

三极管是电流驱动（控制）的，MOS管是电压驱动（控制）的，从这一点说MOS管更象电子管，所以在好的功率放大器上末级功率管多用的是MOS管

三极管是电流控制的，mos管是电压控制的

三极管和MOS管的区别主要应用表现在哪些方面

2，逆变器大功率三极管有哪几种

如果逆变器的功率较小的话，可以使用一般的MOS管，但是如果功率较大的话就要使用IBGT。但是如果功率很小的话，比如几十瓦甚至是十几瓦的小功率逆变器，使用高功率开关三极管也可以。比如可以使用8050或者8550之类的开关三极管。

逆变器大功率三极管有哪几种

3，MOS管很容易被损坏为什么

因为它们是电压形器件，对电压很明感。比如人体产生的静电又是高达上万伏。早已超出了管子的耐压值。是管子损坏。

mosfet的性能好，是指它的开关速度快，导通电阻小，易于并联，容易驱动，和是否易坏是两回事。mos管损坏通常是因为过压、过流、过热、栅极静电击穿所致。防静电是指栅极氧化层阻抗很大，容易在静电累积时造成击穿，通常在栅源极之间并联电阻，减小静电泄放通路阻抗来避免。h桥除上述一般击穿机理外，还容易出现误触发而直通短路，这是拓扑本身决定的。

MOS管很容易被损坏为什么

4，mos管对于微电子专业来说重要吗求详细解释

还是知道为妙，为啥子捏，现在的都是FET的器件了，BJT都不怎么常用了，芯片都是用CMOS工艺，大功率的电源都是MOSFET，甚至是HEXFET，还有高频放大下有JFET，射频功率放大有LDMOS，还有很多我也不知道的，微电嘛，以后是做芯片的，我是学通信的，这个和我都不怎么沾边，为了以后学习和工作需要，知道总比不知道好吧~对么~

你好！微电子必读的西交大陈大仙翻译的毕查德·拉扎维的书《cmos集成电路设计》如果你英文好建议看原版，毕竟翻译的有点差别，网上都可以下到，你直接百度拉扎维cmos集成电路设计就出来了仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。

5，三极管可以用来干什么

主要是放大和开关作用,它是一种控制元件

你好简单的说就是高·低频信号放大，开关电源等等。看看书呗，初中三年物理书上就有的。祝你学业有成

放大电信号，老师刚讲过。

也称晶体管，在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，虽然都叫三极管，其实在英文里[1]面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇　　电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译，这是和电子三极管最早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的，否则就麻烦大咯，严谨的说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！！！　　电子三极管 Triode （俗称电子管的一种）　　双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）　　J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）　　金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称　　V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）　　注：这三者看上去都是场效应管，其实结构千差万别　　J型场效应管金属氧化物半导体场效应晶体管 V沟道场效应管是单极（Unipolar）结构的，是和双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）　　其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管　　VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改经型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管他的作用：，如果说三极管的基本原理用这样的比喻比较牵强附会的话，在设计三极管的版图时，它就非常的确切了，我们先画一条绿色的线条表示通道，再画一条横跨过通道的红色线条表示控制栅极，就象马路上的绿色的通道和警察掌握的红灯一样，绿色通道里的电流的通断，得看警察的脸色行事。不过在集成电路里通道不叫通道，而叫有源区，一个奇怪的名字，不过很好记，我们平时把半导体器件叫做有源器件，电阻电容叫无源器件，三极管是有源器件，因此只要记住和三极管有关的区域叫有源区就可以了。由 N型或 P型半导体材料组成源极和漏极，在源极和漏极之间放一层多晶硅作为栅极，这就形成了一个 MOS三极管，多做几个这样的三极管，并把它们按要求连接起来，这就形成了集成电路。把许多三极管做在一起就是集成电路。集成电路真的就是这么简单，请暂时不要问什么半导体为什么会导电之类目前被认为是无关紧要的问题，我们在这里探讨的是如何快速的学会设计集成电路，而不是半导体理论。 top

放大和开关作用，分为2种型号：ＮＰＮ型和ＰＮＰ型　　3个极性：Ｅ（发射极）Ｂ（基极）Ｃ（集电极）　希望采纳！

　　晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。　　三极管详解半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。

6，CMOS器件的基本原理及结构

CMOS器件：就是CMOS传感器 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)，中文学名为互补金属氧化物半导体，它本是计算机系统内一种重要的芯片，保存了系统引导最基本的资料。其原理是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体，使其在CMOS上共存着带N（带-电）和 P（带+电）级的半导体，这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。　　　　CMOS传感器也可细分为被动式像素传感器(Passive Pixel Sensor CMOS)与主动式像素传感器(Active Pixel Sensor CMOS)。　　CMOS传感器按为像素结构分被动式与主动式两种。　　被动式：又叫无源式。它由一个反向偏置的光敏二极管和一个开关管构成。光敏二极管本质上是一个由P型半导体和N型半导体组成的PN结，它可等效为一个反向偏置的二极管和一个MOS电容并联。当开关管开启时，光敏二极管与垂直的列线（Column bus）连通。位于列线末端的电荷积分放大器读出电路（Charge integrating amplifier）保持列线电压为一常数，当光敏二极管存贮的信号电荷被读出时，其电压被复位到列线电压水平，与此同时，与光信号成正比的电荷由电荷积分放大器转换为电荷输出。　　主动式：主动式像素结构（Active Pixel Sensor.简称APS），又叫有源式，如图2所示. 几乎在CMOS PPS像素结构发明的同时，人们很快认识到在像素内引入缓冲器或放大器可以改善像素的性能，在CMOS APS中每一像素内都有自己的放大器。集成在表面的放大晶体管减少了像素元件的有效表面积，降低了“封装密度”，使40%～50%的入射光被反射。这种传感器的另一个问题是，如何使传感器的多通道放大器之间有较好的匹配，这可以通过降低残余水平的固定图形噪声较好地实现。由于CMOS APS像素内的每个放大器仅在此读出期间被激发，所以CMOS APS的功耗比CCD图像传感器的还小。

三块太阳能电池。盖上红色滤色玻璃，绿色滤色玻璃，蓝色滤色玻璃。红色滤色玻璃的太阳能电池，根据红色光线的强弱，产生多或少的电量，把这些电量换算成数字，代表红色光线的强弱。绿色，蓝色同上。三种光线的强弱合起来，代表这个点所接收的颜色。超多的微型的太阳能电池组成众多的颜色信号，最终组成马赛克画面。ccd就是微型的盖着有色玻璃的太阳能电池的集合体。那些专业生造词看得头疼，用自己能理解的话翻译ccd原理。

CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元。在计算机领域，CMOS常指保存计算机基本启动信息(如日期、时间、启动设置等)的芯片。有时人们会把CMOS和BIOS混称，其实CMOS是主板上的一块可读写的RAM芯片，是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设定。CMOS可由主板的电池供电，即使系统掉电，信息也不会丢失。CMOS RAM本身只是一块存储器，只有数据保存功能。而对BIOS中各项参数的设定要通过专门的程序。BIOS设置程序一般都被厂商整合在芯片中，在开机时通过特定的按键就可进入BIOS设置程序，方便地对系统进行设置。因此BIOS设置有时也被叫做CMOS设置。 CMOS制造工艺也被应用于制作数码影像器材的感光元件（常见的有TTL和CMOS），尤其是片幅规格较大的单反数码相机。虽然在用途上与过去CMOS电路主要作为固件或计算工具的用途非常不同，但基本上它仍然是采取CMOS的工艺，只是将纯粹逻辑运算的功能转变成接收外界光线后转化为电能，再透过芯片上的模-数转换器（ADC）将获得的影像讯号转变为数字信号输出。 CMOS与CCD的区别 CCD与CMOS传感器是被普遍采用的两种图像传感器，两者都是利用感光二极管(photodiode)进行光电转换，将图像转换为数字数据，而其主要差异是数字数据传送的方式不同。 CCD传感器中每一行中每一个象素的电荷数据都会依次传送到下一个象素中，由最底端部分输出，再经由传感器边缘的放大器进行放大输出；而在CMOS传感器中，每个象素都会邻接一个放大器及A/D转换电路，用类似内存电路的方式将数据输出。造成这种差异的原因在于：CCD的特殊工艺可保证数据在传送时不会失真，因此各个象素的数据可汇聚至边缘再进行放大处理；而CMOS工艺的数据在传送距离较长时会产生噪声，因此，必须先放大，再整合各个象素的数据。由于数据传送方式不同，因此CCD与CMOS传感器在效能与应用上也有诸多差异，这些差异包括： 1. 灵敏度差异：由于CMOS传感器的每个象素由四个晶体管与一个感光二极管构成(含放大器与A/D转换电路)，使得每个象素的感光区域远小于象素本身的表面积，因此在象素尺寸相同的情况下，CMOS传感器的灵敏度要低于CCD传感器。2. 成本差异：由于CMOS传感器采用一般半导体电路最常用的CMOS工艺，可以轻易地将周边电路(如AGC、CDS、Timing generator、或DSP等)集成到传感器芯片中，因此可以节省外围芯片的成本；除此之外，由于CCD采用电荷传递的方式传送数据，只要其中有一个象素不能运行，就会导致一整排的数据不能传送，因此控制CCD传感器的成品率比CMOS传感器困难许多，即使有经验的厂商也很难在产品问世的半年内突破50%的水平，因此，CCD传感器的成本会高于CMOS传感器。3. 分辨率差异： CMOS传感器的每个象素都比CCD传感器复杂，其象素尺寸很难达到CCD传感器的水平，因此，当比较相同尺寸的CCD与CMOS传感器时，CCD传感器的分辨率通常会优于CMOS传感器的水平。例如，市面上CMOS传感器最高可达到210万象素的水平(OmniVision的 OV2610，2002年6月推出)，其尺寸为1/2英寸，象素尺寸为4.25μm，但Sony在2002年12月推出了ICX452，其尺寸与 OV2610相差不多(1/1.8英寸)，但分辨率却能高达513万象素，象素尺寸也只有2.78mm的水平。4. 噪声差异：由于CMOS传感器的每个感光二极管都需搭配一个放大器，而放大器属于模拟电路，很难让每个放大器所得到的结果保持一致，因此与只有一个放大器放在芯片边缘的CCD传感器相比，CMOS传感器的噪声就会增加很多，影响图像品质.5. 功耗差异： CMOS传感器的图像采集方式为主动式，感光二极管所产生的电荷会直接由晶体管放大输出，但CCD传感器为被动式采集，需外加电压让每个象素中的电荷移动，而此外加电压通常需要达到12~18V；因此，CCD传感器除了在电源管理电路设计上的难度更高之外(需外加 power IC)，高驱动电压更使其功耗远高于CMOS传感器的水平。举例来说，OmniVision推出的OV7640(1/4英寸、VGA)，在 30 fps的速度下运行，功耗仅为40mW；而致力于低功耗CCD传感器的Sanyo公司推出的1/7英寸、CIF等级的产品，其功耗却仍保持在90mW 以上。因此CCD发热量比CMOS大，不能长时间在阳光下工作。综上所述，CCD传感器在灵敏度、分辨率、噪声控制等方面都优于CMOS传感器，而CMOS传感器则具有低成本、低功耗、以及高整合度的特点。不过，随着CCD与CMOS传感器技术的进步，两者的差异有逐渐缩小的态势，例如，CCD传感器一直在功耗上作改进，以应用于移动通信市场(这方面的代表业者为Sanyo)；CMOS传感器则在改善分辨率与灵敏度方面的不足，以应用于更高端的图像产品。发展前景专家们认为，21世纪初全球CMOS图像传感器市场将在PC摄像机、移动通信市场、数码相机、摄像机市场市场等领域获得大幅度增长，在未来的几年时间内，在130 万像素至200万像素之下的产品中，将开始以CMOS传感器为主流。以小型化和低功耗CMOS图像传感器为核心的摄像机正在成为消费类产品的主流，上述领域将为图像传感器市场带来巨大发展。