schottky，肖特基二极管的应用

本文目录一览

1，肖特基二极管的应用
2，肖特基三极管有什么作用
3，什么是肖特基二极管主要用途和原理是什么
4，肖特基二极管的区别
5，肖特基二极管
6，什么是肖脱基效应
7，肖特基二极管是什么
8，Schottky defect是什么意思

1，肖特基二极管的应用

肖特基二极管是德国科学家肖特基(Schottky)1938年发明的。肖特基二极管与普通的PN结二极管不同。是使用N型半导体材料与金属在一起结合形成金属一半导体结。肖特基二极管比普通二极管有正向压降低、反向电荷恢复时间短(10ns以内)等优点。应用特点：适合于高频、大电流、低电压整流电路以及微波电子混频电路、检波电路、高频数字逻辑电路等。

肖特基二极管的应用

2，肖特基三极管有什么作用

肖特基三极管可以有效地限制管子的饱和深度，大大缩短开关时间。三极管未饱和时，Jc反偏，SBD截止，对电路没影响；当三极管进入饱和时， Jc正偏，SBD导通，使集电极正向偏压被箝位在0.4V，限制管子的饱和深度，同时又使三极管基极电流减小。

肖特基三极管有什么作用

3，什么是肖特基二极管主要用途和原理是什么

肖特基（Schottky）二极管是一种快恢复二极管,它属一种低功耗、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。肖特基（Schottky）二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。常用在彩电的二次电源整流,高频电源整流中。

什么是肖特基二极管主要用途和原理是什么

4，肖特基二极管的区别

肖特基二极管与普通二极管区别如下：一、正向压降数值不同：直接用数字万用表测（小电流）普通二极管在0.5V以上，肖特基二极管在0.3V以下，大电流时普通二极管在0.8V左右，肖特基二极管在0.5V以下；SR350 就是表示3A50V。另肖特基二极管耐压一般在100V以下，没有150V以上的。二、特点不同：肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降VF比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。三、耐压不同：普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁。肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。二极管特性：二极管具有单向导电性，在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。最高工作频率是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以最高工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。

5，肖特基二极管

做稳压管最好用齐纳二极管。肖特基（schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称sbd），它是一种低功耗、超高速半导体器件，应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

肖特基二极管，是一种二极管的构造类型。你说的快恢复是二极管的作用

6，什么是肖脱基效应

肖特基效应可能指华特·肖特基的一些不同方面的贡献：热电子辐射（Thermionic emission，又称热离子辐射）中的肖特基辐射（Schottky emission）效应 .肖特基效应：电子从物质内部（被原子核束缚的状态）逃离到表面所需的能量称为脱出功。两种物质的脱出功不同，那么电子就不能从脱出功大的物质自由地跑到脱出功小的物质。所需外加能量为两个脱出功之差，也称为肖特基势垒。

7，肖特基二极管是什么

肖特基二极管（Schottky）的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。比较适用大电流低电压场合。在高电压整流电路应用时，还是应该选用普通PN结整流二极管。

肖特基二极管也是二极管，那么就是一种具有单向导电性的器件。只是其最显著的特点为反向恢复时间极短，所以其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管。希望可以帮到你。

8，Schottky defect是什么意思

肖特基缺陷(Schottkydefect)是一种化合物半导体中的点缺陷。在化合物MX中，在T>0K时，由于晶格热振动，能量大的原子离开原格点进入晶格间隙或进入表面，或蒸发到外界，而失去原子的晶格位置即出现空缺生成空位以符号VM(或VX)表示。空位是化合物半导体中常见的点缺陷之一。如果对一个按化学计量比组成的化合物MX晶体，在产生VM的同时，也产生数目相同的VX。此时产生的缺陷称肖特基缺陷，记作(VM VX)。空位可以是中性，也可带正电或负电。它对化合物半导体的导电性能有较大的影响。参考资料：搜狗百科

肖特基缺陷

肖特基缺陷(Schottkydefect)是一种化合物半导体中的点缺陷。