pn结工作原理，PN结光生伏特效应的基本原理最好解释的详细点

来源：整理时间：2023-08-26 19:15:57 编辑：智能门户手机版

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1，PN结光生伏特效应的基本原理最好解释的详细点
2，PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么假如我把N型半导体
3，解释一下P型半导体和N型半导体以及 PN结
4，什么是pn结 pnp npp
5，pn结中的空穴是什么
6，二极管反向电阻和正向电阻差异如此之大其物理原理是什么

1，PN结光生伏特效应的基本原理最好解释的详细点

用光照射硅等半导体的PN结由于光电效应而生成从N到P流过的电流，光子能够在P型硅和N型硅中将电子从共价键中激发，以致产生电子－空穴对。界面层附近的电子和空穴在复合之前，将通过空间电荷的电场作用被相互分离。电子向带正电的N区和空穴向带负电的P区运动。通过界面层的电荷分离，将在P区和N区之间产生电压！

如果光线照射在pn结上并且光在界面层被吸收，具有足够能量的光子能够在p型硅和n型硅中将电子从共价键中激发，以致产生电子－空穴对。界面层附近的电子和空穴在复合之前，将通过空间电荷的电场作用被相互分离。电子向带正电的n区和空穴向带负电

PN结光生伏特效应的基本原理最好解释的详细点

2，PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么假如我把N型半导体

将p型半导体与n型半导体制作在同一硅片上，在他们的交界面就形成pn结，pn结具有单向导电性，这些你应该都知道吧，p型半导体的多子是空穴，n型半导体的多子是电子，多子会进行扩散运动，即p区的空穴向n区扩散，与n区的电子复合，而n区的电子向p区扩散，与p区的空穴复合，在交界面附近多子的浓度下降，p区出现负离子区，n区出现正离子区，它们不能移动，称为空间电荷区，从而形成内电场，随扩散运动进行，空间电荷区加宽，内电场加强，其方向由n区指向p区，正好阻止多子的扩散。不是很明白的，你自己画个图就知道了。你说的其实也差不多就是这个意思。不知道你想知道的是不是这个。

你的理解有偏颇。

PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么假如我把N型半导体

3，解释一下P型半导体和N型半导体以及 PN结

1、P型半导体：又称空穴型半导体，其内部空穴数大于自由电子数，即空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。例如在硅材料中加入三价元素硼，就形成了P型半导体。 2、N型半导体：又称电子型半导体，其内部自由电子数大于空穴数，即自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。例如在硅材料中加入五价元素磷，就形成了N型半导体。 3、PN结：在硅或锗单晶基片上，加工成P型区和相邻的N型区，其P型区和N型区相结合的部位有一个特殊的薄层，这个薄层就称为PN结。PN结具有单向导电性。

半导体受到外界能量激发（比如光），或者经过掺杂以后，会产生能够自由移动的电子或者空穴（能带理论），这些称为载流子。载流子为电子的半导体成为N型半导体，载流子为空穴的称为P型半导体。当P型半导体和N型半导体接在一起的时候，由于一边缺少电子另一边缺少空穴，电子和空穴就会自发的相对扩散，这样的扩散同样使得在接触点向两边的扩散区域存在一个电场，随着扩散的进行，这个电场越来越强，直到这个电场的强度足以和扩散的动力相平衡，这样就形成了稳定的结区，我们称他为PN结。

解释一下P型半导体和N型半导体以及 PN结

4，什么是pn结 pnp npp

PN结是构成二极管的，而NPN或PNP是三极管，它是由两个PN结构成的。这些在结构在模拟电路里都有详细的介绍，但是其内部结构只有有个了解认识就行了，不用深入研究，没有实际的用途。还是主要学习PN结的作用。 PN结作用：正向特性：正向导性，即给PN结一个正向的电压它就导通，一般压降为0.3-0.7V。反向特性：可以做稳压管使用。即在反向电流允许的范围内，可以起到稳压的作用，稳压二极管就是这个原理。 PNP或NPN的作用：也主要是三极管的应用啦。一般三极管有三个工作状态：放大状态：即起信号放大的作用，主要用在放大电路中。功放电路常用到的。截止和饱和导通状态：这主要是起开关的作用的。在截止状态下可以理解为三极管的CE间是开路的，即断开的，而在饱和导通状态下可以理解为三极管的CE间是短路的。开关作用也是常见到的，如在振荡电路中，或开关电路的开关功率管都是工作在开关状态下的。以上只是基本的知识，要想理解的深一点，还是要多学习一下电路的。

5，pn结中的空穴是什么

1:空穴与电子带相等的电荷量，并且一个带正电一个带负电。2：平衡，不动在3给讲原理就知道了3：原理：pn结是由p型半导体和n型半导体构成的，这些不讲，书上有定义。重点说下形成过程。p区载流子包括：多子（空穴）少子（电子）n区载流子包括：多子（电子）少子（空穴）p区多子（空穴）浓度高于n区，所以p区空穴向n区扩散，p区空穴扩散到n区与n区的电子中和，在p区留下不可移动的负离子，同理n区也留下不可移动的正离子。n区正离子与p区负离子之间有电势差，叫做势磊。电场的方向是n区指向p区的，阻碍多子的扩散，却有利于少子的运动，少子的运动叫做漂移，飘逸与扩散都产生电流。随着扩散的进行，势磊增大，漂移增强，扩散减弱，最后飘逸电流与扩散电流相等。达到平衡，流过pn结的净电流为0，达到平衡。4：此时空间电荷区没有载流子了，叫做耗尽层。耗尽层中没有空穴。但是p区和n区还是有空穴的，空穴在负离子附近运动，但强调不在空间电荷区。5补充一点，万物都在运动中的，再说参照物不同，也不同。

不完全是您的理解。半导体在通常情况下呈现电中性，当某个电子获得足够高的能量脱离束缚离开原来的位置后，局部地区的电中性被破坏，呈现正电性。这个正电性就用空穴来表示。所以空穴不但是一个位置，而且是一个呈现正电性的位置。异性相吸，空穴当然可以和其他电子配对重新电中性。不过，被吸引过来的电子由于离开了原来的位置，所以在原来位置上又形成了一个空穴。

6，二极管反向电阻和正向电阻差异如此之大其物理原理是什么

1、外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。二极管处于反向偏置而未击穿时的电阻，也就是PN结的反向电阻，因此，一电阻很大，反向电阻要远远大于正向电阻。2、二极管正向电阻的大小还和正向电流的大小相关，当二极管的正向电流在变化时，二极管的正向电阻将随之微小变化，正向电流越大，正向电阻越小，反之则越大。扩展资料二极管正负极的识别方法如下：（1）目视法判断半导体二极管的极性，一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极，在实物中如果看到一端有颜色标示，则是负极，另外一端是正极。（2）用万用表判断半导体二极管的极性：通常选用万用表的欧姆挡(R×100或R×1k)，然后用万用表的两表笔分别接到二极管的两个极上，当二极管导通时，若测得阻值较小，这时黑表笔接的是二极管的正极。红表笔接的则是二极管的负极。当测得阻值很大，这时黑表笔接的是二极管的负极，红表笔接的则是二极管的正极。参考资料来源：百度百科-二极管参考资料来源：百度百科-正向电阻

二极管实物晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象

是缘于它的PN结(阻挡层)特性!即该阻挡层对电场极性的反应变化!从理论上说其实PN结的电阻在无极静态时是相同的!它只是在加上不同极性电场时的反应不同罢了!问题在于无论我们在测量或在路工作时都做不到真正的无极静态!PN结里阻挡层的厚薄取决于其内部空穴的增减!而空穴的增减又取决于PN结两端电场的极性!正向电场时空穴因渗出电子回补而减少!PN阻挡层结变薄而电阻就降低!反向电场时空穴中电子就游离释放而增加了阻挡层厚度!PN结电阻就升高!

这个问题不太好解释，虽然看pn结结构也不见得真正了解原因，书上写的看似清楚，实则不经推敲，未说中要害。我曾仔细研究该原理，觉得粗略地说就像：你在粗糙的地上放一排砖，你从一端一起向前推它们，就会很费劲，因为它们的摩擦力会加起来阻止你。但你一个个往回拽，就很容易将砖拽开来，因为拽时只受到一块砖的摩擦力，容易拆散。pn结原理异曲同工，逆向施加电压，它们一起阻止你的电流，顺向则只有电极附近的空穴使劲，力量不大，容易拆散，扩散形成的电势很容易降低。

这个问题在贴吧里几句话是说不清的，这得写一本书，有兴趣可以看《半导体物理》中PN结这一章。