晶格缺陷，常见的晶体缺陷有以下几种

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1，常见的晶体缺陷有以下几种
2，晶体缺陷有哪些类型它们的基本特征如何
3，晶体缺陷
4，下列属于晶体缺陷的是 A偏析 B晶界 C空位 D位错 E
5，为什么晶体会有缺陷
6，晶体在结构上有哪些缺陷

1，常见的晶体缺陷有以下几种

点缺陷：空位、间隙原子等线缺陷：位错，即刃型位错和螺型位错面缺陷：层错、孪晶体缺陷：包裹体等···

常见的晶体缺陷有以下几种

2，晶体缺陷有哪些类型它们的基本特征如何

在实际金属中存在的缺陷有点缺陷（空位和间隙原子）、线缺陷（位错）和面缺陷（晶界）3种类型。一般情况下，晶体缺陷的存在可以提高金属的强度，但是晶体缺陷的存在常常降低金属的抗腐蚀性能

晶体缺陷有哪些类型它们的基本特征如何

3，晶体缺陷

晶体缺陷[1]：在理想完整晶体中，原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。但在实际的晶体中，由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响，原子的排列不可能那样完整和规则，往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性。　　晶体中存在的缺陷种类很多，根据几何形状和涉及的范围常可分为点缺陷、面缺陷、线缺陷几种主要类型。　　点缺陷：是指三维尺寸都很小，不超过几个原子直径的缺陷。主要有空位和间隙原子　　空位是指未被原子所占有的晶格结点。间隙原子是处在晶格间隙中的多余原子。点缺陷的出现，使周围的原子发生靠拢或撑开，造成晶格畸变。使材料的强度、硬度和电阻率增加。所以金属中，点缺陷越多,它的强度、硬度越高。　　线缺陷：是指三维空间中在二维方向上尺寸较小，在另一维方面上尺寸较大的缺陷。属于这类缺陷主要是位错。什么是位错呢？　　位错是晶体中的某处有一列或若干列原子发生了某种有规律的错排现象。　　面缺陷：是指二维尺寸很大而第三维尺寸很小的缺陷。通常是指晶界和亚晶界。　　晶界：晶粒之间的边界称为晶界。　　亚晶界：亚晶粒之间的边界叫亚晶界。　　按缺陷的形成又可以分为本征缺陷和杂质缺陷。　　本征缺陷——由晶体本身偏离晶格结构形成的缺陷，是由于晶格结点上的粒子的热运动产生的，也称热缺陷。如：　　空位缺陷：晶格结点缺少了某些原子（或离子）而出现了空位。　　间充缺陷：在晶格结点的空隙中，间充有原子（或离子）。　　错位缺陷：在晶格结点上A类原子占据了B类原子所应占据的位置。　　非整比缺陷：晶体的组成偏离了定组成定律的非整比性的缺陷。　　杂质缺陷——杂质粒子进入晶体形成的缺陷，如杂质粒子和间隙粒子缺陷。　　晶体缺陷一般对晶体的化学性质影响较小，而对晶体的一些物理性质如导电性、磁性、光学性能及机械性能影响很大。　　工业上使用的金属材料绝大多数都是多晶体。　　由于晶格空位和间隙原子的出现，原子间的作用力平衡被破坏，使其周围的其它原子发生移动，偏离晶体的结点位置，这种现象称为晶格畸变。

晶体缺陷

4，下列属于晶体缺陷的是 A偏析 B晶界 C空位 D位错 E

晶体结构中质点排列的某种不规则性或不完善性。又称晶格缺陷。表现为晶体结构中局部范围内，质点的排布偏离周期性重复的空间格子规律而出现错乱的现象。根据错乱排列的展布范围,分为下列3种主要类型。①点缺陷，只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷。它包括:晶格位置上缺失正常应有的质点而造成的空位;由于额外的质点充填晶格空隙而产生的填隙；由杂质成分的质点替代了晶格中固有成分质点的位置而引起的替位等。在类质同象混晶中替位是一种普遍存在的晶格缺陷。②线缺陷—位错位错的概念1934年由泰勒提出到1950年才被实验所实具有位错的晶体结构，可看成是局部晶格沿一定的原子面发生晶格的滑移的产物。滑移不贯穿整个晶格，晶体缺陷到晶格内部即终止，在已滑移部分和未滑移部分晶格的分界处造成质点的错乱排列，即位错。这个分界外，即已滑移区和未滑移去的交线，称为位错线。位错有两种基本类型：位错线与滑移方向垂直，称刃位错，也称棱位错；位错线与滑移方向平行，则称螺旋位错。刃位错恰似在滑移面一侧的晶格中额外多了半个插入的原子面，后者在位错线处终止。螺旋位错在相对滑移的两部分晶格间产生一个台阶，但此台阶到位错线处即告终止，整个面网并未完全错断，致使原来相互平行的一组面网连成了恰似由单个面网所构成的螺旋面。③面缺陷，是沿着晶格内或晶粒间的某个面两侧大约几个原子间距范围内出现的晶格缺陷。主要包括堆垛层错以及晶体内和晶体间的各种界面，如小角晶界、畴界壁、双晶界面及晶粒间界等。其中的堆垛层错是指沿晶格内某一平面，质点发生错误堆垛的现象。如一系列平行的原子面,原来按ABCABCABC……的顺序成周期性重复地逐层堆垛，如果在某一层上违反了原来的顺序，如表现为ABCABCAB│ABCABC……,则在划线处就出现一个堆垛层错，该处的平面称为层错面。堆垛层错也可看成晶格沿层错面发生了相对滑移的结果。小角晶界是晶粒内两部分晶格间不严格平行，以微小角度的偏差相互拼接而形成的界面。它可以看成是由一系列位错平行排列而导致的结果。在具有所谓镶嵌构造（图4）的晶格中，各镶嵌块之间的界面就是一些小角晶界。晶体缺陷晶体缺陷晶体缺陷晶体缺陷也有人把晶体中的包裹体等归为晶体缺陷而再分出一类体缺陷。④体缺陷：体缺陷主要是沉淀相、晶粒内的气孔和第二相夹杂物等。

晶界，空位，位错。

晶界,空位,位错。根据百度百科。

5，为什么晶体会有缺陷

结晶的时候地质边界条件发生改变（如地壳运动，如时间、温度、压力、岩浆中的挥发分等）或者地质边界条件的差异，是导致晶体结晶缺陷的主要原因。

晶体缺陷[1]：在理想完整晶体中，原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。但在实际的晶体中，由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响，原子的排列不可能那样完整和规则，往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷，它破坏了晶体的对称性。　　晶体中存在的缺陷种类很多，根据几何形状和涉及的范围常可分为点缺陷、面缺陷、线缺陷几种主要类型。　　点缺陷：是指三维尺寸都很小，不超过几个原子直径的缺陷。主要有空位和间隙原子　　空位是指未被原子所占有的晶格结点。间隙原子是处在晶格间隙中的多余原子。点缺陷的出现，使周围的原子发生靠拢或撑开，造成晶格畸变。使材料的强度、硬度和电阻率增加。所以金属中，点缺陷越多,它的强度、硬度越高。　　线缺陷：是指三维空间中在二维方向上尺寸较小，在另一维方面上尺寸较大的缺陷。属于这类缺陷主要是位错。什么是位错呢？　　位错是晶体中的某处有一列或若干列原子发生了某种有规律的错排现象。　　面缺陷：是指二维尺寸很大而第三维尺寸很小的缺陷。通常是指晶界和亚晶界。　　晶界：晶粒之间的边界称为晶界。　　亚晶界：亚晶粒之间的边界叫亚晶界。　　按缺陷的形成又可以分为本征缺陷和杂质缺陷。　　本征缺陷——由晶体本身偏离晶格结构形成的缺陷，是由于晶格结点上的粒子的热运动产生的，也称热缺陷。如：　　空位缺陷：晶格结点缺少了某些原子（或离子）而出现了空位。　　间充缺陷：在晶格结点的空隙中，间充有原子（或离子）。　　错位缺陷：在晶格结点上a类原子占据了b类原子所应占据的位置。　　非整比缺陷：晶体的组成偏离了定组成定律的非整比性的缺陷。　　杂质缺陷——杂质粒子进入晶体形成的缺陷，如杂质粒子和间隙粒子缺陷。　　晶体缺陷一般对晶体的化学性质影响较小，而对晶体的一些物理性质如导电性、磁性、光学性能及机械性能影响很大。　　工业上使用的金属材料绝大多数都是多晶体。　　由于晶格空位和间隙原子的出现，原子间的作用力平衡被破坏，使其周围的其它原子发生移动，偏离晶体的结点位置，这种现象称为晶格畸变。

结晶的时候气泡的干扰，杂质的干扰，原子出现滑动，晶体生长的速度太快或者太慢都有关系。

6，晶体在结构上有哪些缺陷

①点缺陷，只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷。②线缺陷—位错。位错的概念1934年由泰勒提出到1950年才被实验所实具有位错的晶体结构，可看成是局部晶格沿一定的原子面发生晶格的滑移的产物。③面缺陷，是沿着晶格内或晶粒间的某个面两侧大约几个原子间距范围内出现的晶格缺陷。主要包括堆垛层错以及晶体内和晶体间的各种界面，如小角晶界、畴界壁、双晶界面及晶粒间界等。④体缺陷：体缺陷主要是沉淀相、晶粒内的气孔和第二相夹杂物等。满意请采纳，谢谢。

首先晶体在生长过程中，总是不可避免地受到外界环境中各种复杂因素不同程度影响，不可能按理想发育，即质点排列不严格服从空间格子规律，可能存在空位、间隙离子、位错、镶嵌结构等缺陷，外形可能不规则。另外，晶体形成后，还会受到外界各种因素作用如温度、溶解、挤压、扭曲等等。　　晶体缺陷：各种偏离晶体结构中质点周期重复排列的因素，严格说，造成晶体点阵结构周期势场畸变的一切因素。　　如晶体中进入了一些杂质。这些杂质也会占据一定的位置，这样破坏了原质点排列的周期性，在二十世纪中期，发现晶体中缺陷的存在，它严重影响晶体性质，有些是决定性的，如半导体导电性质，几乎完全是由外来杂质原子和缺陷存在决定的，许多离子晶体的颜色、发光等。另外，固体的强度，陶瓷、耐火材料的烧结和固相反应等等均与缺陷有关，晶体缺陷是近三、四年国内外科学研究十分注意的一个内容。　　根据缺陷的作用范围把真实晶体缺陷分四类：　　点缺陷:在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子。　　线缺陷;在二维尺寸小，在另一维尺寸大，可被电镜观察到。　　面缺陷：在一维尺寸小，在另二维尺寸大，可被光学显微镜观察到。　　体缺陷：在三维尺寸较大，如镶嵌块，沉淀相，空洞，气泡等。　　按形成的原因不同分三类：　　1 热缺陷（晶格位置缺陷）　　在晶体点阵的正常格点位出现空位，不该有质点的位置出现了质点（间隙质点）。　　2 组成缺陷　　外来质点（杂质）取代正常质点位置或进入正常结点的间隙位置。　　3 电荷缺陷　　晶体中某些质点个别电子处于激发状态，有的离开原来质点，形成自由电子，在原来电子轨道上留下了电子空穴。

晶体是有明确衍射图案的固体，其原子或分子在空间按一定规律周期重复地排列。晶体中原子或分子的排列具有三维空间的周期性，隔一定的距离重复出现，这种周期性规律是晶体结构中最基本的特征。晶体和非晶体的区别1、结构区别晶体都具有规则的几何形状，而非晶体没有一定的几何外形。2、各向异性晶体的各种物理性质，在各个方向上都是不同的，即各向异性；非晶体则显各向同性。3、熔点晶体必须到达熔点时才能熔解，而非晶体在熔解的过程中，没有明确的熔点，随着温度升高，物质首先变软，然后逐渐由稠变稀。4、对x射线的衍射晶体可对x射线发生，非晶体不可对x射线发生衍射，当单一波长的x-射线通过晶体时，会在记录仪上看到分立的斑点或明锐谱线。而在同一条件下摄取的非晶体图谱中却看不到分立的斑点或明锐谱线。

晶体的缺陷种类很多，常见的有：1、空位；2、填隙；3、晶格形变（各种位错）