宽禁带，硅锗砷化镓哪个带隙宽禁带宽度越大少数载流子浓度的温度灵敏度怎

来源：整理时间：2023-08-17 14:47:43 编辑：智能门户手机版

本文目录一览

1，硅锗砷化镓哪个带隙宽禁带宽度越大少数载流子浓度的温度灵敏度怎
2，宽禁带半导体相对窄禁带版代替有哪些特殊性质
3，宽禁带半导体材料和器件毕业后干什么
4，MgO属于宽禁带半导体吗
5，关于计算禁带宽度
6，怎么求禁带宽度

1，硅锗砷化镓哪个带隙宽禁带宽度越大少数载流子浓度的温度灵敏度怎

1）硅二极管反向电流比锗二极管反向电流锗管mA级硅管nA级相同温度锗ni比硅ni要高约三数量级所相同掺杂浓度硅少浓度比锗少浓度低故硅管反向饱电流Is 2）向电压通二极管电流向电压达某数值Ur电流才明显增通电压Ur称二极管门限电压称死区电压或阈值电压由于硅二极管Is远于锗二极管Is所硅二极管门限电压于锗二极管门限电压般硅二极管门限电压约0.5V~0.6V, 锗二极管门限电压约0.1V~0.2V

同问。。。

硅锗砷化镓哪个带隙宽禁带宽度越大少数载流子浓度的温度灵敏度怎

2，宽禁带半导体相对窄禁带版代替有哪些特殊性质

对于包括半导体在内的晶体，其中的电子既不同于真空中的自由电子，也不同于孤立原子中的电子。真空中的自由电子具有连续的能量状态，即可取任何大小的能量；而原子中的电子是处于所谓分离的能级状态。

例如半导体si中的施主杂质原子as，它有四个价电子用于构成共价键，所多余的一个价电子仍然是受到该施主原子的束缚，这个电子的状态就是束缚状态，相应的能级即为束缚能级，是在导带底下面附近处（因为这个多余的一个价电子只要很小的能量即可激发到导带而变成载流子，故该束缚能级离导带底很近）。

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3，宽禁带半导体材料和器件毕业后干什么

碳化硅(sic)和氮化镓(gan)为代表的宽禁带半导体材料sic电力电子器件主要包括功率整流器(sbd、pin和jbs等)、单极型功率晶体管(mosfet、jfet和sit等)和双极犁载流子功率晶体管(bjt、igbt和gto等)。sic微波功率晶体管包括sic mesfet、sic bjt和sic sit等gan功率整流器主要包括sbd和pin二极管基于gan的功率开关器件主要包括a1gan／gan hemt(hfet)、gan mosfet和mis—hemt等结构。

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4，MgO属于宽禁带半导体吗

在半导体工业中,人们习惯地把锗(Ge)、硅(Si)为代表的元素半导体材料称为第一代半导体材料,把砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的化合物半导体材料称为第二代半导体材料,而把氮化镓(GaN) 、碳化硅(SiC)、氧化锌（ZnO）为代表的半导体材料称为第三代半导体材料.由于这些材料的禁带宽度较Si、GaAs等材料更宽,因而它们一般具有更高的击穿电场、热导率、电子饱和速率及更高的抗辐射能力,因而更适合于制作高温、高频及大功率器件, 故称这类材料为宽禁带半导体材料(WBG)（通常指禁带宽度大于2 . 2电子伏特的半导体材料）,也称高温半导体材料。

5，关于计算禁带宽度

1.这个图正确的应该是（ahv）^2~hv的曲线图，其中a为吸收系数，a=-1/d*lnT,d为厚度（一般测禁带宽度时，使用的是薄膜样品，所以d即为膜厚）；2.图中的直线并不是直接通过测试的数据得到的，而是先画出（ahv）^2~hv的曲线图后，采用外推法，在曲线的拐点处做切线，外推至x轴，即f（（ahv）^2）=0时，该直线与x轴交点处的值，即为该样品的禁带宽度。这就是你图中所对应的3点几eV;3.hv是光子能量，不是禁带宽度，在这个图中，只表示的是曲线部分的横坐标，与直线无关O(∩_∩)O~。4.大概就这些，详细的内容，楼主可以查阅一下到江大论坛网站查看回答详情>>

6，怎么求禁带宽度

很多材料的禁带宽度都是已知的，可以直接查找，如果是对于未知的材料通过计算来求禁带宽度的话，需要计算材料的电子结构，然后判断出导带和禁带的位置，它们之间的最小间距就是禁带宽度

禁带宽度是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)).固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带。要导电就要有自由电子存在。自由电子存在的能带称为导带（能导电）。被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。硅的禁带宽度为0.8ev,砷化镓比他高得多（具体不记得了，大概是一点几还是二点几）。禁带非常窄就成为金属了，反之则成为绝缘体。半导体的反向耐压，正向压降都合禁带宽度攸关。