电导调制效应，问几个半导体物理问题

本文目录一览

1，问几个半导体物理问题
2，基区电导调制效应
3，什么是电导调制效应
4，为什么发生短路IGBT的Uce会增大
5，如何理解电力二极管的开关特性
6，电力电子技术中的电导调制效应是什么

1，问几个半导体物理问题

2.三个效应分别是基区电导调制效应，有效基区宽度扩展效应，发射极电流集边效应。 3二次击穿是局部温度升高和电流集中往反复的结果。分为热型和电流型两种。

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问几个半导体物理问题

2，基区电导调制效应

电导调制效应又称基区宽度调制效应，属于半导体物理的范畴了。就是指基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应。当集电结反向电压增大时，集电结的空间电荷区加宽，这就引起基区有效宽度变窄。因而载流子在基区复合的机会减小，所以基极电流Ib随集电极反偏电压增大而减小，也就是基区有效电阻增大，因此又叫电导调制效应

基区电导调制效应

3，什么是电导调制效应

电导调制需效应是Webster效应，是在大注入时基区电导增大的现象；而基区宽度调制效应就是Early效应，是集电结电压变化而致使基区宽度变化、并造成伏安输出特性倾斜、使输出电阻减小的现象；另外，基区宽度展宽效应就是Kirk效应，是在大电流下基区宽度增大的现象。这三种重要的效应是BJT的一种基本特性，要注意区分开来！

什么是电导调制效应

4，为什么发生短路IGBT的Uce会增大

发生短路时,流过IGBT的电流大，因IGBT有一定的内阻，所以Uce会增大。深圳南方国圣0755-27191369

因为igbt退饱和了

你好！发生短路时,流过IGBT的电流大，因IGBT有一定的内阻，所以Uce会增大。深圳南方国圣0755-27191369希望对你有所帮助，望采纳。

当IGBT发生短路时，相当于把电源直接加在了IGBT上面。这时电源电压降会在电源内阻，导线线阻，IGBT导通电阻上。由于这三个电阻阻值都很低，所以IGBT上会分得很高的电压。如果没有短路有负载，那么在负载上分得的电压将占绝大部分，IGBT的管压降就低了。另外一方面，IGBT导通时存在导通电阻，只要电流增加，IGBT的管压降就会增加，而短路时电流很大，Uce自然大了。电导调制效应是电流增大时电压上升速度低于电流上升速度，并不是电流增大电压下降或不变。

5，如何理解电力二极管的开关特性

电力二极管（Power Diode）的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管是一样的，都以半导体PN结为基础，实现正向导通、反向截止的功能；其重要类型有：普通二极管，快恢复二极管，肖特基二极管。 1、正向PN结的电荷存储效应给电力二极管带来的主要优缺点：优点：电导调制效应使通态压降较低，在正向电流增大时通态压降增加很少。缺点：反向关断过程中会引起反向恢复电流和反向恢复时间，使开关频率降低。 2、正向通态压降的大致范围0.7-1.2； 3、主要参数：通态平均电流IF(A)、反向耐压URRM和反向恢复时间TRR；普通二极管：反向恢复时间TRR在5uS以上。快恢复二极管：0.8-1.1的正向导通压降，反向恢复时间数百纳秒，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。肖特基二极管：其反向恢复时间极短10-40纳秒，正向导通压降仅0.4左右，而整流电流却可达到几千毫安，而且反向漏电流较大，优点低功耗，大电流，开关频率高，缺点耐压低，一般低于。　　这两种管子通常用于开关电源。快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.硬之城上面应该有这个，可以去看看有没有教程之类的，因为毕竟上面的技术资料型号等都很全面也是最新的，所以能解决很多问题。

6，电力电子技术中的电导调制效应是什么

以BJT为例电导调制效应又称基区宽度调制效应，属于半导体物理的范畴了。就是指基区的有效宽度随集电结的反偏电压的变化而变化的效应。当集电结反向电压增大时，集电结的空间电荷区加宽，这就引起基区有效宽度变窄。因而载流子在基区复合的机会减小，所以基极电流Ib随集电极反偏电压增大而减小，也就是基区有效电导减小，因此又叫电导调制效应.应该修改如下：电导调制需效应是 Webster效应，是在大注入时基区电导增大的现象；而基区宽度调制效应就是Early效应，是集电结电压变化而致使基区宽度变化、并造成伏安输出特性倾斜、使输出电阻减小的现象；另外，基区宽度展宽效应就是Kirk效应，是在大电流下基区宽度增大的现象。这三种重要的效应是BJT的一种基本特性，要注意区分开来！根据《电力电子技术》机械工业出版社西安交通大学王兆安黄俊主编第4版第12页当PN结上流过的正向电流较大时，注入并积累在低掺杂N区的少子空穴浓度将很大，为了维持半导体中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，使得其电阻率明显下降，也就是电导率大大增加，这就是电导调制效应。更准确的定义下： Webster效应也称为基区电导调制效应，这是BJT在大工作电流时、基区电导发生增大的一种现象。因为半导体内部各点总是要保持电中性，所以，在发射结正偏、向基区注入少子的同时，也必将有相同数量、相同浓度梯度的多子在基区中积累起来；当注入的少子浓度很大（大注入）、接近掺杂浓度时，则额外积累起来的多子浓度也就与掺杂浓度相当了，这时，基区的电导率实际上就决定于基区掺杂浓度和额外增加的多子浓度的总和（换句话说，大注入的结果就相当于增加了基区掺杂浓度），从而基区的有效电导率大大增加了（注入越大，有效电阻率降低得越多），这就是基区电导调制效应（也称为Webster效应）。Webster效应的直接影响就是BJT基区的电阻率下降（电导率增大），使得发射结的注射效率降低，减小了电流放大系数。对于基区掺杂浓度分布均匀的晶体管（例如合金晶体管）而言，引起其在大电流下电流放大系数b下降的主要原因就是Webster效应。不过，对于Si平面晶体管，由于基区掺杂浓度较高一些，所以Webster效应的影响往往较小（这时，引起大电流时b下降的主要原因是 Kirk效应）。总之，BJT在大电流（大注入）工作时，往往容易出现

你好！电导调制需效应是Webster效应，是在大注入时基区电导增大的现象；而基区宽度调制效应就是Early效应，是集电结电压变化而致使基区宽度变化、并造成伏安输出特性倾斜、使输出电阻减小的现象；另外，基区宽度展宽效应就是Kirk效应，是在大电流下基区宽度增大的现象。这三种重要的效应是BJT的一种基本特性，要注意区分开来！如有疑问，请追问。

电力电子技术中的电导调制效应是：电导调制需效应是Webster效应，是在大注入时基区电导增大的现象。补充：基区宽度调制效应就是Early效应，是集电结电压变化而致使基区宽度变化、并造成伏安输出特性倾斜、使输出电阻减小的现象；另外，基区宽度展宽效应就是Kirk效应，是在大电流下基区宽度增大的现象。这三种重要的效应是BJT的一种基本特性。