耗尽层，什么叫做耗尽层

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1，什么叫做耗尽层
2，在模拟电子中为什么参杂浓度越高耗尽层越窄参杂浓度越小
3，为什么把PN结称为耗尽层呢
4，二极管正偏时候为什么耗尽层会变窄
5，半导体物理中空间电荷区耗尽层势垒区三者的含义一
6，空穴还是由正负离子构成的空间电荷区为何又称为耗尽层

1，什么叫做耗尽层

空间电荷区也叫做耗尽层。

什么叫做耗尽层

2，在模拟电子中为什么参杂浓度越高耗尽层越窄参杂浓度越小

这个很好理解，“耗尽层”，顾名思义，他的主导作用就是起到电阻作用的，其他的作用咱先不说，既然是电阻，那就按电阻的性质来分析一下，比如一杯水的电阻大小是不是和他的温度啊还有他的浓度（干净程度）啊什么的有关系。浓度越大他的可导电分子就愈多，导电性能就越好，浓度越小，就像蒸馏水一样，鬼才信他能导电呢，呵呵呵，所以我对耗尽层的理解就是电阻层，

在模拟电子中为什么参杂浓度越高耗尽层越窄参杂浓度越小

3，为什么把PN结称为耗尽层呢

由于PN结对电子和空穴的扩散具有阻挡作用，因此又称为阻挡层。在PN结内，仅是一些不能活动的离子，几乎没有载流子，相当于载流子都耗尽了，所以在有些情况下又称它为耗尽层。

pn结中由于p区和n区的电子空穴发生中和，在结中会形成耗尽区，pn结因此可以叫耗尽层；由于pn结反向不导通，因此可以叫做阻挡层。仅作参考。。

为什么把PN结称为耗尽层呢

4，二极管正偏时候为什么耗尽层会变窄

pn结N区与P区之间存在电子的扩散势Ee。外加正向电压U与扩散势Ee极性相反，故原始扩散动力由Ee降低为Ee-U。动力小了，自由电子从N区到P区的迁移提前终止，pn结内电场自然变窄，见图1.1.7(a)。外加正向电压下pn结及其内电场宽度λp自然小于自由态时的宽度λf外加正向电压数值达到或超过扩散势时，pn结内电场不复存在；外加电压继续增大，pn结就会导通，见图1.1.7(b)。I=(U-Ee)/R，扩散势Ee以正向压降表现出来。

耗尽层是扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了pn结。由于外电源的作用，扩散运动加剧，形成扩散电流，耗尽层变窄，动态平衡失衡，导致耗尽层变窄。

5，半导体物理中空间电荷区耗尽层势垒区三者的含义一

= =...唉我又来拆台了...每次复习看到这种错误答案都犯强迫症...空间电荷区=耗尽层。但是“势垒区”的概念适用可能要广泛一些，“势垒区指由于不同费米面的半导体之间或者半导体-金属之间由于接触而引起载流子重新分配后形成势垒的区域。”（百度上随便搜的一句 = =）所以不一定仅仅适用于PN结吧... 以上为个人理解 = =.......

显然不一样。这些区域都存在于两半导体或者半导体-金属接触的地方，空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度的区域，而耗尽层则相反。势垒区指由于不同费米面的半导体之间或者半导体-金属之间由于接触而引起载流子重新分配后形成势垒的区域。

你好！= =...唉我又来拆台了...每次复习看到这种错误答案都犯强迫症...空间电荷区=耗尽层。但是“势垒区”的概念适用可能要广泛一些，“势垒区指由于不同费米面的半导体之间或者半导体-金属之间由于接触而引起载流子重新分配后形成势垒的区域。”（百度上随便搜的一句 = =）所以不一定仅仅适用于PN结吧... 以上为个人理解 = =.......希望对你有所帮助，望采纳。

6，空穴还是由正负离子构成的空间电荷区为何又称为耗尽层

电子和空穴构成的。空间电荷，在pn结中，电子和空穴带有相反的电荷，它们在扩散过程中要产生复合（中和），结果使P区和N区中原来的电中性被破坏。空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度的区域。空间电荷指流子浓度超过原载流子浓度。在PN结中，由于自由电子的扩散运动和内电场导致的漂移运动，使PN结中间的部位(P区和N区交界面)产生一个很薄的电荷区，所以空间电荷区为何又称为耗尽层。扩展资料空间电荷区的变化当p-n结上加有正向电压时，所产生电场的方向即与内建电场的方向相反，互相抵消，使得空间电荷区中的总电场有所降低，从而其中的正、负空间电荷也就有所减少，结果，空间电荷区的厚度也就减小了。相反，当p-n结上加有反向电压时，所产生电场的方向即与内建电场的方向一致，互相增强，使得空间电荷区中的总电场有所提高，从而也就使得空间电荷区中的电荷增多、厚度增大了。p-n结的单向导电性和扩散电容效应，也就是势垒高度随着电压而发生变化所产生的一种效应；而势垒电容是势垒区的厚度（空间电荷区的宽度）随着电压而发生变化所产生的一种效应。由于势垒厚度的变化（即空间电荷区的变化）是p-n结两边多数载流子的运动所致，因此相应的势垒电容在很高的频率下也会起作用，往往是决定器件截止频率的重要因素。如果所加的正向电压过高（例如超过1V）时，内建电场就完全被抵消了，空间电荷区也就不存在了，厚度变为0，这时p-n结也就失效了。当然，若在回路（例如开关电路）中接有适当的电阻，限制了电流，虽然p-n结不会损坏，但是通过的电流已经不再是受到势垒限制的那样随着电压而指数式上升的电流了。因此，只要是能够正常进行整流、检波等工作的p-n结，其中就必将具有一定厚度的空间电荷区参考资料来源：搜狗百科-空间电荷区参考资料来源：搜狗百科-空间电荷

空间电荷区是由不能移动的杂质离子构成，由于p区中的空穴扩散到n区，n区中自由电子扩散到p区并且与空穴复合，形成了空间电荷区，同时建立了内电场。内电场会阻碍多子的扩散，也会促进交界处的少子产生漂移运动。由于空间电荷区中的载流子几乎被消耗殆尽，所以又称为耗尽区，pn结内电场阻止多子扩散，所以又称阻挡层或势垒区。

把在pn结附近的电离施主和电离受主所带电荷称为空间电荷。它们所存在的区域称为空间电荷区。（电离施主和电离受主就是离子）在pn结的空间电荷区中能带发生弯曲，这是空间电荷区中电势能变化的结果。因能带弯曲，电子从势能低的n区向势能高的p区运动时，必须克服这一势能“高坡"，才能达到p区；同理，空穴也必须克服这一势能“高坡"，才能从p区到达n区，这一势能“高坡，通常称为pn结的势垒，故空间电荷区也叫势垒区。势垒区中势能比n区导带底高0．1eV处，价带空穴浓度为p区多数载流子的10^-10倍，而该处的导带电子浓度为n区多数载流子的1/50。一般室温附近，对于绝大部分势垒区，其中杂质虽然都已电离，但载流子浓度比起n区和p区的多数载流子浓度小得多，好像已经耗尽了。所以通常也称势垒区为耗尽层，即认为其中载流子浓度很小，可以忽略，空间电荷密度就等于电离杂质浓度。参考资料：《半导体物理》刘恩科第七版

不同的结形成不同。