ingaas，什么是 ingaas pin探测器

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1，什么是 ingaas pin探测器
2，怎样测ingaas光电pin的暗电流
3，ingaas红外探测器阵列的结构是什么样的
4，请问InGaAs是什么如何念谢谢
5，砷化铟的化学式是什么
6，太阳能电路板是什么材料的

1，什么是 ingaas pin探测器

种材料, 铟砷化镓（InGaAs）电InGaAs传输速度硅数倍MITMTL（微系统实验室）近演示用InGaAs制作晶体管传输电流先进硅晶体管2.5倍InGaAs晶体管尺寸仅仅60纳米InGaAs晶体管优点能够减少芯片尺寸提高信息处理速度.广泛用于探测器!

什么是 ingaas pin探测器

2，怎样测ingaas光电pin的暗电流

修正暗电流的方法：因为暗电流的存在，会对实验中的测试电流产生误导和不利影响，所以要在实验之前，用各种方法把它调零，给抵消掉。暗电流是指光电耦合器的输出特性是指在一定的发光电流IF下，光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系

虽然我很聪明，但这么说真的难到我了

怎样测ingaas光电pin的暗电流

3，ingaas红外探测器阵列的结构是什么样的

“红外线”一词源于“pastred”，是超出红色之外的意思，表示该波长在电磁辐射频谱中所处的位置。“thermography”一词是采用同根词生成的，意思是“温度图像”。热成像的起源归功于德国天文学家SirWilliamHerschel，他在1800年使用太阳光做了一些实验。

支持一下感觉挺不错的

ingaas红外探测器阵列的结构是什么样的

4，请问InGaAs是什么如何念谢谢

一种材料, 就是铟砷化镓（InGaAs），电子在InGaAs中的传输速度是硅的数倍。MIT的MTL（微系统实验室）最近演示了用InGaAs制作的晶体管，传输电流是最先进的硅晶体管的2.5倍。而InGaAs晶体管的尺寸仅仅为60纳米。InGaAs晶体管的优点是能够减少芯片尺寸，提高信息处理的速度.广泛用于探测器!

要详细的我推荐你看《半导体材料》邓志杰，郑安生著，这本书里有各种半导本材料的性质和应用的介绍。

5，砷化铟的化学式是什么

中文名称：砷化铟[1]英文名称：indium arsenide英文别名：Indium arsenide; Indiam arsenide; Indium arsenide (InAs); Indium monoarsenide; arsanylidyneindium; arsenic(-3) anion; indium(+3) cation 砷化铟 CAS号：1303-11-3EINECS号：215-115-3分子式：AsIn分子量：189.7396砷化铟是由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料。常温呈银灰色固体，具有闪锌矿型的晶体结构，晶格常数为0.6058nm，密度为5.66g/cm(固态)、5.90g/cm(熔点时液态)。能带结构为直接跃迁，禁带宽度(300K)0.45eV。InAs相图如图所示。[2]InAs在熔点(942℃)时砷的离解压只有0.033MPa，可在常压下由熔体生长单晶。常用的有HB和LEC方法，单晶直径达φ50mm。InAs是一种难于纯化的半导体材料。非掺In．As单晶的剩余载流子浓度高于l×10/cm，室温电子迁移率3.3×10cm/(V·s)，空穴迁移率460cm/(V·s)。硫在In．As中的有效分凝系数接近1，故用作n型掺杂剂，以提高纵向载流子浓度分布的均匀性。工业用的InAs(s)单晶，n≥1×10/cm3，μ≤2.0×10cm/(V·s)，EPD≤5×10/cm。InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。望采纳，谢谢

6，太阳能电路板是什么材料的

制作材料如下：　　1）钢化玻璃其作用为保护发电主体（如电池片），透光其选用是有要求的， 1.透光率必须高（一般91%以上）；2.超白钢化处理　　2） EVA 用来粘结固定钢化玻璃和发电主体（如电池片），透明EVA材质的优劣直接影响到组件的寿命，暴露在空气中的EVA易老化发黄，从而影响组件的透光率，从而影响组件的发电质量除了EVA本身的质量外，组件厂家的层压工艺影响也是非常大的，如EVA胶连度不达标，EVA与钢化玻璃、背板粘接强度不够，都会引起EVA提早老化，影响组件寿命。　　3）电池片主要作用就是发电，发电主体市场上主流的是晶体硅太阳电池片、薄膜太阳能电池片，两者各有优劣。晶体硅太阳能电池片,设备成本相对较低，但消耗及电池片成本很高，但光电转换效率也高，在室外阳光下发电比较适宜薄膜太阳能电池，相对设备成本较高，但消耗和电池成本很低，但光电转化效率相对晶体硅电池片一半多点，但弱光效应非常好，在普通灯光下也能发电，如计算器上的太阳能电池。　　4）EVA作用如上，主要粘结封装发电主体和背板　　5）背板作用，密封、绝缘、防水（一般都用TPT、TPE等材质必须耐老化，大部分组件厂家都质保25年，钢化玻璃，铝合金一般都没问题，关键就在与背板和硅胶是否能达到要求。）　　6）铝合金保护层压件，起一定的密封、支撑作用　　7）接线盒保护整个发电系统，起到电流中转站的作用，如果组件短路接线盒自动断开短路电池串，防止烧坏整个系统接线盒中最关键的是二极管的选用，根据组件内电池片的类型不同，对应的二极管也不相同　　8）硅胶密封作用，用来密封组件与铝合金边框、组件与接线盒交界处有些公司使用双面胶条、泡棉来替代硅胶，国内普遍使用硅胶，工艺简单，方便，易操作，而且成本很低。

你好，太阳能电池材料有很多种。a. 硅系列：1 .单晶硅：这种材料转换效率很高（近来已经接近30%），但是制造成本也很高，通常在宇航中运用比较多。2 .多晶硅：现在的主流材料，效率不如单晶硅（大概15%-20%）但是制造成本要低很多。3 .不定型硅：成本低，转换效率也不高（大概10%以下），通常用在电子计算器，电子表之类的地方。b. 化合物1．ingaas：日本的夏普公司开发的一种材料，现在最高转换效率达到了35.8%，但是因为含有in稀土元素，所以成本很高，通常也在宇航中运用比较多。2．单晶gaas：转换效率也达到了20%以上，因为成本高也多应用于宇航方面。3．cis系列：即材料中包括cu, in、ga、al、se、s等i-iii-v族化合物，转换效率在10%-20%之间，因为材料的选择面广，制造手法也相对容易，现在作为一种新型的材料发展得很快。其他还有一些新兴的材料不断出现，如czts（cu, zn, sn, s的化合物），cdte-cds等。c.有机物现在还出现了用有机色素，有机薄膜等制造的太阳能电池，虽然现在转换效率还比较低（10%以下），但是因为有机物成本低，制造容易，可以获得透明太阳能电池等优点，成为近年来备受瞩目的新型材料。希望可以对你有所帮助！

太阳能电池是单晶硅制作，电路板是环氧树脂玻璃纤维布压制，之后附上铜箔经过制版加工完成。

目前所用的太阳能电池有三类，无机半导体电池（通常用的材料是单晶硅等半导体）、染料敏化太阳能电池（活性功能物质是一些有机小分子）和聚合物本体异质结太阳能电池（所用的活性功能物质是一些具有特殊结构的有机高分子化合物）。

光伏，多晶硅