微源半导体，myogenic tone是什么

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1，myogenic tone是什么
2，场效应管与三极管有何相同之处G与B需要提供开启电压吗
3，65nm工艺的元件和90nm工艺的元件有哪些区别
4，enmos是什么东西
5，转帖DLP技术简介
6，mos晶体管的工作原理

1，myogenic tone是什么

肌源性紧张

ic就是集成电路(integrated circuit]) 集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，这样，整个电路的体积大大缩小，且引出线和焊接点的数目也大为减少，从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。它在电路中用字母“ic”表示。

myogenic tone是什么

2，场效应管与三极管有何相同之处G与B需要提供开启电压吗

普通三极管是电流控制型的，对输入端有一定的功率要求；场效应管是电压控制型，输入电流微小。相同的输出，带场效应管比三极管可以增加很多负载，这在大规模集成电路中尤其重要。

场效应管是电压控制，三极管是电流控制器件。场效应管是另一种半导体放大器件。在场效应管中只是多子参与导电，故称为单极型三极管；而普通三极管参与导电的，既有多数载流子，又有少数载流子，故称为双极型三极管。由于少数载流子的浓度易受温度的影响，因此，在温度稳定性、低噪声等方面前者优于后者。 2．双极型三极管是电流控制器件，通过控制基极电流到达控制输出电流的目的。因此，基极总有一定的电流，故三极管的输人电阻较低；场效应管是电压控制器件，其输出电流决定于栅源极之间的电压，栅极基本上不取电流，因此，它的输入电阻很高，可达10^9～10^14Ω。高输入电阻是场效应管的突出优点。 3．场效应管的漏极和源极可以互换，耗尽型绝缘栅管的栅极电压可正可负，灵活性比双极型三极管强。 4 场效应管和三极管都可以用于放大或作可控开关。但场效应管还可以作为压控电阻使用，可以在微电流、低电压条件下工作。且便于集成。在大规模和超大规模集成电路中应用极为广泛。

场效应管与三极管有何相同之处G与B需要提供开启电压吗

3，65nm工艺的元件和90nm工艺的元件有哪些区别

低功耗省电节能超频后稳定性更好些~！

1906年，世界第一枚电子器件划时代而生。此后百年间，随着晶体管与集成电路的成功开发，人类开始步入速度惊人的芯片时代。　　我们知道，能够带来突破性性能与尺寸的新体系结构，需要在更小的体积内放入更多的晶体管数目，需要更高级的芯片制程工艺。　　从第一颗处理器到90纳米处理器，乃至65纳米处理器都是如此。英特尔把这种以两年为周期的芯片与微体系结构快速发展步调称为“Tick-tock”战略。当硅制程技术“Tick”与微体系结构“Tock”交替发展到65纳米阶段时，进一步突破遇到了难以逾越的瓶颈。　　我们知道，一般的晶体管可分为低电阻层、多晶硅栅极和二氧化硅电介层。其中，二氧化硅电介层在65纳米时代已降低至相当于五层原子的厚度，再进一步缩小则会遭遇电介层的漏电而达到极限。　　但是，对业界影响深远的摩尔定律并没有因此而失去效力。经历千万次的试验，英特尔将一种熔沸点和强度都极高且抗腐蚀性的新型金属铪(Hf)运用到芯片处理技术当中，创造出英特尔45纳米高Ｋ金属栅极硅制程技术层，替换二氧化硅电介层。　　英特尔45纳米高Ｋ技术能将晶体管间的切换功耗降低近30%，将晶体管切换速度提高20%，而减少栅极漏电10倍以上，源极向漏极漏电5倍以上。这就为芯片带来更低的功耗和更持久的电池使用时间，并拥有更多的晶体管数目以及更小尺寸。　　2007年，英特尔发布第一款基于45纳米的四核英特尔至强处理器以及英特尔酷睿2至尊四核处理器，带领世界跨入45纳米全新时代。　　难以置信的伟大突破！请继续探索45纳米世界，发现更多惊奇。

提高CPU工作主频主要受到生产工艺的限制。由于CPU是在半导体硅片上制造的，在硅片上的元件之间需要导线进行联接，由于在高频状态下要求导线越细越短越好，这样才能减小导线分布电容等杂散干扰以保证CPU运算正确。因此制造工艺的限制，是CPU主频发展的最大障碍之一。还有就是低功耗

65nm的超频比90nm的好

65nm工艺的元件和90nm工艺的元件有哪些区别

4，enmos是什么东西

一种用于电场测试的N型差分式电场微传感器，其特征在于由n沟道电场传感器(ENMOS1)、n沟道耗尽型金属氧化物半导体管(ENMOS2)、P型金属氧化物半导体管电流镜及N型金属氧化物半导体管(NMOS5)组成，P型金属氧化物半导体管电流镜由2个P型金属氧化物半导体管(PMOS3、PMOS4)组成，2个P 型金属氧化物半导体管(PMOS3、PMOS4)的源极相连接并与电源(Vdd)相连接，其栅极互连并与其中一个P型金属氧化物半导体管(PMOS3)的漏极连接且该P型金属氧化物半导体管(PMOS3)的漏极与n沟道电场传感器(ENMOS1)的漏极连接，上述另一个P型金属氧化物半导体管(PMOS4)的漏极与n沟道耗尽型MOS 管(ENMOS2)的漏极连接且该节点作为输出端(Vout)，n沟道电场传感器 (ENMOS1)的源极与n沟道耗尽型MOS管(ENMOS2)的源极连接并与N型金属氧化物半导体管(NMOS5)的漏极连接，N型金属氧化物半导体管(NMOS5) 的源极接地(Vss)，N型金属氧化物半导体管(NMOS5)的栅极接偏置电压(Vb)。该产品已在2005年申请专利。谢谢，希望我的回答能帮到你

microsoft office specialist的英文开头字母缩写微软办公软件使用的国际认证：国际权威职业化办公认证是certiport这个国际著名的从事计算机应用能力认证的专业机构与microsoft总部共同推出的微软办公软件的实际运用能力的考核，这是微软办公软件office专家应用认证，为microsoft 唯一所认可的office 软件国际级的专业认证。 microsoft office specialist鼓励每个人掌握microsoft 主要办公软件的功能及使用技巧，满足现代职场中工作能力的要求。同时，microsoft office specialist 也能够满足企业的需要，帮助企业提升员工的工作效率，节省企业人力资源成本。 microsoft office specialist认证的目的是协助企业、个人确立microsoft office各软件之知识应用与实际操作能力的专业程度，包括如word、excel、powerpoint、access以及 outlook 等软件的实际应用能力。国外许多实例已证实，到2004年12月份, 已经有250万人参加microsoft office specialist 国际认证的教育训练与测验，证明他们透过microsoft office specialist彻底了解、运用microsoft office办公室应用软件的功能性，能增进他们的生产力，进而达到提升企业与个人的竞争力。如何增加自己的价值，使自己在众多的求职者中能够脱颖而出，已经成为每个求职者的共同关注的问题。与此同时，信息界也吹起了一阵“认证风潮”，许多人纷纷又回到计算机补习班中恶补一番，无非是想替自己的信息技术能力加点分。所谓的“认证”就是指在某种领域的技术或操作能力。借由认证来确保使用者都具备有一定的水准，并且通过考试制度给予肯定。目前在全球it领域中，主要的认证可以分为几种：cisco、linux、microsoft、oracle、sun、等。由于世界各国政府及民间对认证的大力推广，使得“国际性认证”除了替自己专业能力加分以外，您同时也可以获得 “可通行世界的专业证

5，转帖DLP技术简介

1.更清晰 DLP技术使图像随着窗口的刷新而更加清晰，它通过增强黑白对比度、描绘边界线和分离单个颜色而将图像中的缺陷抹去。你的眼睛是不会欺骗你的，你可以尽情享受这种视觉效果。 DMD是由超过五十万块的微小镜面组成，而一个镜面则代表一个像素，一个镜面之下有一个合叶装置。这种结构可以对输入进来的数字信号做出每秒开关超过五千次的响应，以产生像素。DMD镜器件这一非凡的快速开关速度与被称为双脉冲宽度调制的一种精确的图像颜色和灰度复制技术相结合，产生的是透明似水晶的令人叹为观止的图像。 2.更细致如果你坐在会议室的最后一排，你依然可以清晰的看到荧幕上的图像。而且无论从中间还是边上，你都看不到声名狼藉的“纱门”效果——在模拟放映技术中存在于像素之间的恼人缝隙。无论你的座位在哪里，图像总是非常清晰，而且最大化地填充屏幕。 DMD镜片体积微小，每一侧边的长度为16微米，相邻镜头之间的缝隙小于1微米。镜头是方形的，所以每一个镜片显示的内容要比实际图像更多“沙门效果相对比的是DLP投影机的无缝效果。当一个图像的尺寸增加时，LCD投影机图像中的缝隙将变得更大。 DMD镜面的大小和形状决定了这一切。每个镜片90%的面积动态地反射光线以生成一个投影图像，由于一个镜头与另一个镜头之间是如此的接近，所以图像看起来没有缝隙。再加上当分辨率在增加时大小及间距仍保持一致，因此无论分辨率如何变化，图像始终能够保持很高的清晰度。 3.更明亮你愿意在观看投影的时候同时拥有光明吗？观众在做笔记的时候希望保持亮度或打开窗帘，与传统的模拟投影机相比，DLP投影机将更多的光线打到屏幕上，这样，图像的演示效果在光亮中将同在黑暗中一样好。 DLP技术有效的解决了这个问题。DMD的强反射表面通过消除光路上的障碍以及将更多的光线反射到屏幕上，而最大化地利用了投影机的光源。DLP技术依据图像的内容对图像进行反射，DLP的光源有两种工作方式，或者通过一个透镜打到屏幕上，或者直接进入一个吸光器。相比较的是，LCD技术则是偏振光在图像到达屏幕之前必须通过大量的附加光学元件。更为有利的是，基于DLP技术的投影机的亮度是随着分辨率的增加而增加的。在如XGA和SXGA等更高分辨率的情况下，DMD提供更多的反射面积，如此一来就可以更为有效地利用灯光的亮度。 4.更逼真随着其它显示技术及摄影技术的出现，DLP使得那些无生命的图像拥有了逼真的色彩。数字色彩的再现保证了图像与真实物质的还原性，而且没有发亮的斑点或其它投影机典型的冲失现象。 DLP不仅仅是简单地投影图像，它还对它们进行了复制。在它的处理过程中，首先将源图像数字化为8到10位每色的灰度图像。然后，这些二进制图像输入进DMD，在那里它们与来自光源并经过仔细过滤的彩色光相结合。这些图像离开DMD后就成像到屏幕上，保持了源图像所有的光亮和微妙之处。DLP独一无二的色彩过滤过程控制了投影图像的色彩纯度，此技术的数字化控制支持无限次的色彩复制，并确保了原始图像栩栩如生地再现。 5.更可靠恶劣条件下的测试强有力地保证了DLP技术的可靠性，TI的工程师在每一种可以想象的情况下对DMD进行了测试。他们曾经将它放在热、冷、振动、爆炸、潮湿以及许许多多其它苛刻的条件下进行检测，从而用户可以确信DMD以及其它组成DLP技术的所有元件在相当长的时间内可以保持高可靠性。 DMD不仅通过了所有的标准半导体资格测试，而且还证明了在模拟操作环境中，它的生命期超过10万个小时。测试证明，DMD可以进行超过1.7万千亿次循环无故障运行，这相当于投影机的实际使用时间超过1995年。其它测试结果显示，DMD在超过11万个电力周期和1万1千个温度周期下无故障，以确保在需求较大的应用领域中提供30年以上的可靠运行期。TI为其它DLP的组件提供了类似的保证。 6.更便携重量不足10磅并能够在屏幕上投影1千流明亮度的基于DLP的超便携投影机为减重量，但不是肌肉这一说法赋予了全新的含义。与包含大型、笨重光学器件的传统模拟投影系统不同，DLP的数字化设计使一个小型的、结构更为紧凑的光学系统就可以产生重大的视觉冲击效果。 TI的开发人员和合作伙伴帮助超重的投影机进行了减肥，他们将DLP的电子元件压缩了一半，而同时，其表现比第一代系统亮度更高、对比度更强。使用一个单片DMD就可以实现大小、重量和亮度的统一，这将使用户可以得到一个更小、更亮、更易于携带而且足以提供出色图像质量的系统。

6，mos晶体管的工作原理

原发布者:王立伟24第三章场效应管放大器3.1场效应管绝缘栅场效应管结型场效应管3.2场效应管放大电路效应管放大器的静态偏置效应管放大器的交流小信号模型效应管放大电路3.1场效应管BJT是一种电流控制元件(iB~iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。场效应管（FieldEffectTransistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~iD)，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。绝缘栅场效应管增强型耗尽型FET分类：结型场效应管N沟道P沟道N沟道P沟道N沟道P沟道一.绝缘栅场效应管绝缘栅型场效应管(MetalOxideSemiconductorFET)，简称MOSFET。分为：g漏极d源极s栅极增强型N沟道、P沟道耗尽型N沟道、P沟道1.N沟道增强型MOS管（1）结构4个电极：漏极D，源极S，栅极G和衬底B。gN+N+P衬底-ds衬底b-符号：b（2）工作原理①栅源电压uGS的控制作用当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。当uGS＞0V时→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。再增加uGS→纵向电场↑-s-sVDDVDDVGGg-g--ddid二氧化硅二氧化硅→将P区少子电子聚集到P区表面→形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就

MOS场效应管，即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。还有一种MOS晶体管，叫做MOS栅极控制晶闸管，是一种新型MOS与双极复合型器件。它采用集成电路工艺，在普通晶闸管结构中制作大量MOS器件，通过MOS器件的通断来控制晶闸管的导通与关断。不知道是不是你要的？

MOS场效应管，即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。还有一种MOS晶体管，叫做MOS栅极控制晶闸管，是一种新型MOS与双极复合型器件。它采用集成电路工艺，在普通晶闸管结构中制作大量MOS器件，通过MOS器件的通断来控制晶闸管的导通与关断。不知道是不是你要的。

N沟道增强型MOS管的输出特性曲线与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。转移特性曲线由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同的vDS所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用vDS大于某一数值(vDS＞vGS-VT)后的一条转移特性曲线代替饱和区的所有转移特性曲线.MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同，只是增强型MOS管中不用夹断电压VP ，而用开启电压VT表征管子的特性。N沟道耗尽型MOS管结构：N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似。区别：耗尽型MOS管在vGS=0时，漏－源极间已有导电沟道产生增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。原因：制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，因此即使vGS=0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏－源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压vDS，就有电流iD。如果加上正的vGS，栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟道加宽，沟道电阻变小，iD增大。反之vGS为负时，沟道中感应的电子减少，沟道变窄，沟道电阻变大，iD减小。当vGS负向增加到某一数值时，导电沟道消失，iD趋于零，管子截止，故称为耗尽型。沟道消失时的栅－源电压称为夹断电压，仍用VP表示。与N沟道结型场效应管相同，N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值，但是，前者只能在vGS<0的情况下工作。而后者在vGS=0，vGS>0，VP<vGS<0的情况下均能实现对iD的控制，而且仍能保持栅-源极间有很大的绝缘电阻,使栅极电流为零。这是耗尽型MOS管的一个重要特点。电流方程：在饱和区内，耗尽型MOS管的电流方程与结型场效应管的电流方程相同。使用场效应管的注意事项 1．从场效应管的结构上看，其源极和漏极是对称的，因此源极和漏极可以互换。但有些场效应管在制造时已将衬底引线与源极连在一起，这种场效应管的源极和漏极就不能互换了。2．场效应管各极间电压的极性应正确接入，结型场效应管的栅-源电压vGS的极性不能接反。3．当MOS管的衬底引线单独引出时，应将其接到电路中的电位最低点（对N沟道MOS管而言）或电位最高点（对P沟道MOS管而言），以保证沟道与衬底间的PN结处于反向偏置，使衬底与沟道及各电极隔离。4．MOS管的栅极是绝缘的，感应电荷不易泄放，而且绝缘层很薄，极易击穿。所以栅极不能开路，存放时应将各电极短路。焊接时，电烙铁必须可靠接地，或者断电利用烙铁余热焊接，并注意对交流电场的屏蔽。场效应管与三极管的性能比较 1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。 2．场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。3．场效应管栅极几乎不取电流；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。4．场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，因少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。5．场效应管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b值将减小很多。6．场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。7．场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。CMOS工作原理什么是CMOS-IC？金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated Circuit）。CMOS集成电路的性能特点微功耗—CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。高噪声容限—CMOS电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。宽工作电压范围—CMOS电路的电源电压一般为1.5~18伏。高逻辑摆幅—CMOS电路输出高、低电平的幅度达到全电为VDD，逻辑“0”为VSS。高输入阻抗--CMOS电路的输入阻抗大于108Ω,一般可达1010Ω。高扇出能力--CMOS电路的扇出能力大于50。低输入电容--CMOS电路的输入电容一般不大于5PF。宽工作温度范围—陶瓷封装的CMOS电路工作温度范围为- 55 0C ~ 125 0C；塑封的CMOS电路为 – 40 0C ~ 85 0C。 http://baike.baidu.com/view/22318.html?wtp=tt

自己找书去老师讲了答案就在书上看去！！忽忽~~~