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功率半导体,功率半导体器件的工作原理

来源:整理 时间:2023-08-22 10:24:17 编辑:智能门户 手机版

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1,功率半导体器件的工作原理

功率半导体器件,也叫电力电子器件均具有导通和阻断两种工作特性。原理是:通过控制门极信号控制功率半导体器件的导通和关断。半控型器件,只可控制其导通,不可控制其关断。全控型器件,导通和关断都可控制。

功率半导体器件的工作原理

2,甚么叫大功率半导体

是指能承受高电压和大电流的半导体元件,可以理解为电流通过半导体本身产生的电压降与通过它电流的乘积,实际是耗散功率,额定耗散功率越大,说明它的承载的电压或电流越大。
1般来讲,当半导体的最大耗散功率在1瓦以上的被称为大功率半导体。

甚么叫大功率半导体

3,什么是功率半导体器件有推荐的生产厂家吗

功率半导体器件又称为电力电子器件,是电力电子装置实现电能转换、电路控制的核心器件。主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功率控制等,同时具有节能功效。目前新干晶芯微公司是国内最好的功率半导体生产厂家,是自己设计的芯片和生产。
高电压和或大电流的半导体器件,一般称为功率器件。看你具体的适用范围,功率等级。
有很多,我了解的就有 苏州天孚 成都光恒 深圳加星 武汉电信器件 等等 至于华为的供应商就不清楚了。

什么是功率半导体器件有推荐的生产厂家吗

4,大功率电力电子装置常用的功率半导体开关器件有哪些

大功率电力电子装置常用的功率半导体开关有以下器件:1、晶闸管(可控硅),它又有普通晶闸管、双向晶闸管属于半控型(控制导通、自然关断)电力电子器件,门极可关断晶闸管(GTO)属全控型电力电子器件。2、电力晶体管(GTR),属于电流控制电流全控型电力电子器件。3、绝缘栅场效应管(PMOS),属于电压控制电流全控型电力电子器件。4、绝缘栅双极晶体管(IGBT),属于电压控制电流全控型电力电子器件。认证被拒绝,我也想看看有更好的答案,以弥补交了十多年电力电子课程的遗憾!
1、晶闸管(可控硅),它又有普通晶闸管、双向晶闸管属于半控型(控制导通、自然关断)电力电子器件,门极可关断晶闸管(GTO)属全控型电力电子器件。2、电力晶体管(GTR),属于电流控制电流全控型电力电子器件。3、绝缘栅场效应管(PMOS),属于电压控制电流全控型电力电子器件。4、绝缘栅双极晶体管(IGBT),属于电压控制电流全控型电力电子器件。
电力二极管。晶闸管。单向可控硅,双向可控硅。记不清了。。。。
1、晶闸管(可控硅),它又有普通晶闸管、双向晶闸管属于半控型(控制导通、自然关断)电力电子器件,门极可关断晶闸管(GTO)属全控型电力电子器件。2、电力晶体管(GTR),属于电流控制电流全控型电力电子器件。3、绝缘栅场效应管(PMOS),属于电压控制电流全控型电力电子器件。4、绝缘栅双极晶体管(IGBT),属于电压控制电流全控型电力电子器件。再看看别人怎么说的。

5,power semiconductor是什么意思

power semiconductor英 [?pau? ?semik?n?d?kt?] 美 [?pa?? s?mik?n?d?kt?]功率半导体器件功率半导体掐;功率半导体器件;电力半导体双语例句1. The company is a leading professionalized power semiconductor parts enterprise. 该企业是中国大功率半导体器件专业化重点生产企业.2. TCSC is one of important power semiconductor device for FACTS. 可控串补(TCSC)是一种重要的柔性交流输电系统(FACTS)控制装置.3. Figure III gives the general picture of power semiconductor devices. 图三给出了功率半导体器件的概貌.4. Hitachi sophisticated power semiconductor devices bring efficiency, comfort and convenience to life. 日立尖端功率半导体器件使生活更高效 、 舒适和便利.5. Manufacturer of Power Semiconductor Devices and Al - Ecaps. 生产功率半导体器件和铝电解电容器的制造厂.
做半导体的公司吧,好像台湾有一家这个名字的公司,具体情况不知道。做半导体做的很牛叉的就是德州仪器。

6,什么是半导体功率器件

功率半导体器件,嘿嘿,本人的本行。功率半导体器件,以前也被称为电力电子器件,简单来说,就是进行功率处理的,具有处理高电压,大电流能力的半导体器件。给个数量吧,电压处理范围从几十V~几千V,电流能力最高可达几千A。典型的功率处理,包括变频、变压、变流、功率管理等等。 早期的功率半导体器件:大功率二极管、晶闸管等等,主要用于工业和电力系统(正因如此,早期才被称为电力电子器件) 后来,随着以功率MOSFET器件为代表的新型功率半导体器件的迅速发展,现在功率半导体器件已经非常广泛啦, 在计算机、通行、消费电子、汽车电子 为代表的4C行业(computer、communication、consumer electronics、cartronics),功率半导体器件可以说是越来越火,现在不是要节能环保吗,低碳生活,那就需要对能量的处理进行合理的管理,power是啥?通俗的理解不就是功率P=IV 吗,所以就需要对电压电流的运用进行有效的控制,这就与功率器件密不可分! 功率管理集成电路(Power Management IC,也被称为电源管理IC)已经成为功率半导体器件的热点,发展非常迅速噢! 功率半导体器件,在大多数情况下,是被作为开关使用(switch),开关,简单的说,就是用来控制电流的 通过 和 截断。 那么,一个理想的开关,应该具有两个基本的特性: 1,电流通过的时候,这个理想开关两端的电压降是零 2,电流截断的时候,这个理想开关两端可以承受的电压可以是任意大小,也就是0~无穷大因此,功率半导体器件的研究和发展,就是围绕着这个目标不断前进的。现在的功率半导体器件,已经具有很好的性能了,在要求的电压电流处理范围内,可以接近一个比较理想的开关。 好了,扯了这么多,举几个功率半导体器件的例子吧,刚才已经说了,功率二极管,晶闸管,还有功率BJT(就是功率双极型晶体管)这些都是第一代产品了,比较老的了,第二代是以功率MOSFET为代表的新型功率半导体器件,如VDMOS、LDMOS,以及IGBT。 VDMOS 即(vertical double-diffusion MOSFET)是纵向器件,多用于分立器件;LDMOS 即(Lateral double-diffusion MOSFET),是横向器件,其三个电极均在硅片表面,易于集成,多用于功率集成电路领域。 IGBT 即 (Insulated Gate Bipolar Transistor 绝缘栅双极型晶体管),可以看作是功率MOS和功率BJT的混合型新器件。 IGBT目前非常火啊,国内才刚刚起步,大量需要IGBT的高技术人才,这个有钱途的。 扯了好多啊,先就这么多吧,要细说的话,可以说一天。希望我的回答对你有帮助,一字一句都是原创,望采纳
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