pn结是什么,三极管有哪些pn结?看这里!

什么是PN结？三极管的PN结是什么？以npn管为例。三极管有两个pn结:be之间的pn结和bc之间的pn结，什么是PN结？它有什么特点？PN结的特性是什么？1.完整硅片上PN结的原理是什么？三极管正常工作时(放大状态)，be之间的pn结为pn-on(正向)，bc之间的pn结为np-on(反向)。

PN结是二极管，而NPN或PNP是三极管，由两个PN结组成。这些结构在模拟电路中都有详细介绍，但只需要对其内部结构有所了解就可以了，不需要深入学习，也没有实际用途。还是主要研究PN结的作用。PN结作用:正特性:正导电性，即给PN结一个正电压就会导通，一般压降为0。30.7伏..反向特性:可用作稳压器。

PNP或NPN的作用:主要是三极管的应用。三极管一般有三种工作状态:放大状态:起信号放大的作用，主要用于放大电路。通常用于功率放大器电路。截止和饱和导通状态:这个主要起到开关的作用。在关断状态下，可以理解为三极管的CE开路，即断开，而在饱和导通状态下，可以理解为三极管的CE短路。开关功能也很常见，比如在振荡电路中，或者开关电路的开关功率管都工作在开关状态。

以npn管为例，三极管中有两个pn结:be之间的pn结和bc之间的pn结。三极管正常工作时(放大状态)，be之间的pn结为pn-on(正向)，bc之间的pn结为np-on(反向)。什么是PN结？也就是说，当P型半导体和N型半导体制作在一起时，P型半导体带正电，而N型半导体带负电。P型半导体中的空穴将扩散到N型半导体，而N型半导体中的电子将扩散到P型半导体，从而形成空间电荷区。

我先给大家解释一下PN结形成的过程。PN结的形成分为三步:1 .许多载流子的扩散形成了空间电荷区。由于N型半导体和P型半导体中自由电子的浓度不同，在浓度梯度的作用下，自由电子会从N区向P区扩散。同样，空穴也在浓度梯度的作用下从P区向N区扩散。这两个载流子在N区和P区的结处复合后，在P区的结处留下一个不可移动的负空间电荷，在N区留下一个不可移动的正空间电荷。

2.少数承运人的漂流运动。空间电荷区的N区是正空间电荷，P区是负空间电荷。因为空间电荷不能移动，空间电荷产生一个从N区到P区的内建电场，会把N区的少数载流子，也就是空穴，拉到P区，同时把P区的少数载流子，也就是自由电子，拉到N区。少数载流子在内部电场作用下产生的这种运动称为漂移运动。3.扩散运动和漂移运动达到动态平衡形成PN结。

PN结加反向电压后，空间电荷区的电场增强，相应的空间电荷增加，从而使空间电荷区变宽。施加直流电压时，电场减弱，相应的空间电荷减少，空间电荷区变窄。如果在PN结上加直流电压，即P区接正极，N区接负极，如右图。因为施加电压的电场方向与PN结中的电场方向相反。在外加电场的作用下，内部电场会减弱，使阻挡层变窄，增强扩散运动。

可以看出PN结正向导通时电阻很小。PN结加反向电压时，PN结变宽，反向电流很小。如果在PN结上加反向电压，此时由于外加电场的方向与内部电场一致，内部电场增强，大部分载流子的扩散运动减弱。pn结中没有正向电流通过，只有少数载流子的漂移运动形成反向电流。因为少数载流子很少，反向电流很弱。所以反向电压下PN结的电阻很大。

1。在完整的硅晶片上，通过不同的掺杂工艺，在一侧形成N型半导体，在另一侧形成P型半导体，然后在两个半导体的界面处形成PN结。2.特点。正向导通和反向截止。当直流电压达到一定值时(硅管为0.7V，锗管为0.3V)，电流随电压呈指数变化。与电阻相比，它具有非线性特性，所以其特性曲线一般是非线性的；载流子有两种，分别是电子和空穴；

锗、硅、硒、砷化镓以及许多金属氧化物和金属硫化物称为半导体，其导电性介于导体和绝缘体之间。半导体有一些特殊的性质。例如，利用半导体的电阻率与温度的关系，可以制成用于自动控制的热敏电阻(热敏电阻)；利用其光敏特性，可制成光敏元件用于自动控制，如光电池、光电池、光敏电阻等。半导体还有一个最重要的特性。如果在纯半导体物质中适当掺杂微量杂质，其电导率将增加数百万倍。

当半导体的一面做成P型区，另一面做成N型区时，在结附近形成一层具有特殊性质的薄层，一般称为PN结。图的上半部分分为p型半导体和n型半导体界面两侧的载流子扩散(用黑色箭头表示)。中间部分是PN结的形成过程，表示载流子的扩散效应大于漂移效应(蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场方向)。下部是PN结的形成。

二极管或三极管(晶体管)的重要部件通常是一块N型(P型)半导体，部分掺杂了浓度相对较高的三价(五价)杂质，使之成为P型(N型)半导体，在P型半导体和N型半导体的界面上形成一层特殊的薄层，称为PN结。更详细的解释:结合P型半导体和N型半导体，P型半导体中空穴浓度大，N型半导体中电子浓度大，所以电子和空穴的扩散会发生在两者的结合面。