氮化铝陶瓷，氮化铝陶瓷的用途

本文目录一览

1，氮化铝陶瓷的用途
2，什么是氮化铝陶瓷
3，氮化铝陶瓷的结构
4，什么是氮化铝陶瓷电路板
5，氮化铝陶瓷基板与与氧化铝陶瓷基板有哪些区别
6，什么是AlN陶瓷

1，氮化铝陶瓷的用途

1.氮化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。 2.氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。工艺路线：氮化铝粉末采用碳热还原氮化法；高导热氮化铝陶瓷基片采用氛常压烧结法。

氮化铝陶瓷的用途

2，什么是氮化铝陶瓷

1、氮化铝陶瓷是热导率高的工程材料，与硅半导体芯片的热膨胀系数相近，而且强度高、介电性能优异，作为一种最佳基片材料，在大功率、高速半导体和大尺寸硅芯片中得到有效应用

什么是氮化铝陶瓷

3，氮化铝陶瓷的结构

AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数（4.0-6.0）X10（-6）/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。性能指标?(1)热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；?(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；?(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良；?(4)机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结；?(5)光传输特性好；?(6)无毒；

氮化铝陶瓷的结构

4，什么是氮化铝陶瓷电路板

氮化铝陶瓷是一种以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷材料，再在氮化铝陶瓷基片上面蚀刻金属电路，就是氮化铝陶瓷基板了。1、氮化铝陶瓷英文：AluminiumNitrideCeramic，是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。2、AIN晶体以（AIN4）四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。3、化学组成AI65.81%，N34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。4、氮化铝陶瓷为一种高温耐热材料，热膨胀系数（4.0-6.0）X10（-6）/℃。5、多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的高温。6、氮化铝陶瓷具有极好的耐侵蚀性。陶瓷电路板具有良好的高频性能和电学性能，且具有热导率高、化学稳定性和热稳定性优良等有机基板不具备的性能，是新一代大规模集成电路以及功率电子模块的理想封装材料。近年来斯利通陶瓷电路板得到了广泛的关注和迅速发展。

5，氮化铝陶瓷基板与与氧化铝陶瓷基板有哪些区别

1、导热率：同为陶瓷电路板，但是有很大的区别，氧化铝的导热率差不多在45 W/(m·K)左右，氮化铝的导热率接近其7倍。2、热膨胀系数：氧化铝陶瓷电路板的导热系数和氮化铝陶瓷电路板基本相同。导热率和热膨胀系数是最直接体现电路板性能的参数，相信大家已经能够比较直观看出氮化铝陶瓷电路板的优势，其实不光光是只是这两点，氮化铝陶瓷电路板可以将陶瓷电路板的易碎缺点降到最低，氮化铝陶瓷电路板的硬度会比氧化铝陶瓷电路板的硬度高很多。

氧化铝基板是白色，氮化铝基板是灰色。1、氮化铝陶瓷英文：AluminiumNitrideCeramic，是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。2、AIN晶体以（AIN4）四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。3、化学组成AI65.81%，N34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。4、氮化铝陶瓷为一种高温耐热材料，热膨胀系数（4.0-6.0）X10（-6）/℃。5、多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的高温。6、氮化铝陶瓷具有极好的耐侵蚀性。其次介绍氧化铝陶瓷基板：1、氧化铝陶瓷是一种以氧化铝（Al2O3）为主体的陶瓷材料，用于集成电路。2、氧化铝陶瓷是以Al2O3陶瓷材料是以氧离子构成的密排六方结构。3、氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。需要注意的是需用超声波进行洗涤。4、氧化铝陶瓷具有高熔点、高硬度，具有优良的耐磨性能。5、氧化铝陶瓷适用范围广，应用于大功率设备、IC MOS管、IGBT贴片式导热绝缘、高频电源、通讯、机械设备，强电流、高电压、高温等需要导热散热绝缘的产品部件。

6，什么是AlN陶瓷

　　氮化铝陶瓷（Aluminium Nitride Ceramic）编辑本段结构　　氮化铝陶瓷是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数（4.0-6.0）X10（-6）/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。编辑本段性能：　　AIN陶瓷的性能与制备工艺有关。如热压烧结AIN陶瓷，其密度为3 .2一3 .3g/cm3，抗弯强度350一400 MPa(高强型900 MPa)，弹性模量310 GPa，热导率20-30W.m(-1).K(-1)，热膨胀系数5.6x10(-6)K(-1)(25℃一400℃)。机械加工性和抗氧化性良好。编辑本段应用　　：　　1.氮化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。　　2.氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。　　3.氮化铝硬度高,超过传统氧化铝,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造价高,只能用于磨损严重的部位. 　　4.利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件，利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。　　5.氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀，对酸稳定，但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。利用此特性，可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。AIN陶瓷的金属化性能较好，可替代有毒性的氧化敏瓷在电子工业中广泛应用。