光电探测器，光电探测器的原理及性能指标求指教

本文目录一览

1，光电探测器的原理及性能指标求指教
2，光电传感器的定义是什么
3，ingaas ge 光电探测器哪个好
4，什么是二象限硅光电池探测器
5，光电探测器和硅光电池1样
6，光电探测器的分类

1，光电探测器的原理及性能指标求指教

光电探测器的种类有很多，不同的种类原理也不同。比较常用的是photodiode，光电二极管，主要参数有光敏面面积，极间电容，暗电流，NEP。

光电探测器的原理及性能指标求指教

2，光电传感器的定义是什么

光电传感器是采用光电元件作为检测元件的传感器。它首先把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号。光电传感器一般由光源、光学通路和光电元件三部分组成。

光电传感器的定义是什么

3，ingaas ge 光电探测器哪个好

种材料, 铟砷化镓（InGaAs）电InGaAs传输速度硅数倍MITMTL（微系统实验室）近演示用InGaAs制作晶体管传输电流先进硅晶体管2.5倍InGaAs晶体管尺寸仅仅60纳米InGaAs晶体管优点能够减少芯片尺寸提高信息处理速度.广泛用于探测器!

ingaas ge 光电探测器哪个好

4，什么是二象限硅光电池探测器

一般都是做成四象限硅光电探测器，做成二象限硅光电探测器的很少见。四象限硅光电探测器是一种位置探测器，将被探测的光源成像在四象限硅光电探测器表面上形成一个光电，当光电偏离探测器表面的中心时，探测器输出就会不平衡，可以根据两个方向的不平衡数值来确定光源的位置。四象限硅光电探测器最著名的应用是用来制造激光制导炸弹的目标探测器，在工业上，也用来检测光源或其它物体的位置。二象限硅光电探测器只能探测一个方向的偏移，所以应用少一些。

5，光电探测器和硅光电池1样

不1样，1个是探测仪器，1个是能源转换器件。光电探测器是1种探测仪器，主要是利用光源在目标和背景上的反射或目标、背景本身辐射电磁波的差异来探测、辨认目标，并对它们进行跟踪、瞄准。可分为可见光探测、微光探测、红外探测、激光侦察、光电综合探测、卫星光电探测、机载光电探测、舰载光电探测和车载光电探测等多个种类。硅光电池则是1种把光能转换成电能的半导体器件。

两个概念好不好，呵呵

光电探测器是种别，包括硅光电池，还有光电倍增管等等。

6，光电探测器的分类

光电探测器能把光信号转换为电信号。根据器件对辐射响应的方式不同或者说器件工作的机理不同，光电探测器可分为两大类：一类是光子探测器；另一类是热探测器。

看了半天。原来你说的就是同一个东西纯度更高（纯度决定着他可以接收更少的光子而获得电流，即可以感应更加敏锐），即灵敏度更高的太阳能电池（即光子伏特电池）就是光电探测器的核心部分。他使用光电池产生的电能，经过放大后，计算，然后得到数值事实上pn结之所以产生，就是在高纯度硅上（单晶硅最容易）加入一些杂质（即其他的材料，比如锗等）然后由于该物质的填充，导致2个硅分隔之间形成一个断开而又有半导体效应的部分，即pn结，这个pn结之间有一个孔穴。和其他比如二极管，场效应管原理一样，只不过这个孔穴中电子是空的。当太阳照射时，光子的能量（光具有粒子和波的二像性）辐射到pn结上时，一部分光子被硅材料吸收，光子的能量传递给了硅原子，使电子发生了越迁，成为自由电子在p－n结两侧集聚形成了电位差，当外部接通电路时，在该电压的作用下，将会有电流流过外部电路产生一定的输出功率。这个过程的实质是光子能量转换成电能的过程原理就是如此pn结的结构图，就是左右都是高纯度硅（假设是单晶的），然后中间是锗等杂质（这里的意思是说他不是硅）然后形成的孔穴，即硅光组件，或者说光子伏特电池。大概就是这个原理了