雪崩二极管，雪崩二极管是干啥用的

本文目录一览

1，雪崩二极管是干啥用的
2，雪崩二极管
3，雪崩二极管工作原理
4，什么是雪崩光电二极管APD
5，雪崩渡越时间二极管振荡器是什么
6，什么是雪崩二极管

1，雪崩二极管是干啥用的

雪崩二极管是一种负阻器件，特点是输出功率大，但噪声也很大。主要噪声来自于雪崩噪声，是由于雪崩倍增过程中产生电子和空穴和无规则性所引起的，其性质和散弹噪声类似。雪崩噪声是雪崩二极管振荡器的噪声远高于其它振荡器的主要原因。用于稳压2级管

雪崩二极管是干啥用的

2，雪崩二极管

PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管

补充：由于齐纳击穿的击穿电流不很大，所以常常不是破坏性的，降低电压后，二极管还能用。雪崩击穿是破坏性的，击穿一次彻底报废。

雪崩二极管

3，雪崩二极管工作原理

在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运动的电子和空穴将不断地与晶体原子又发生碰撞，当电子和空穴的能量足够大时，通过这样的碰撞的可使共价键中的电子激发形成自由电子–空穴对。新产生的电子和空穴也向相反的方向运动，重新获得能量，又可通过碰撞，再产生电子–空穴对，这就是载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，这样，反向电流剧增， PN结就发生雪崩击穿。利用该特点可制作高反压二极管。下图是雪崩击穿的示意图. 雪崩二极管是一种负阻器件，特点是输出功率大，但噪声也很大。主要噪声来自于雪崩噪声，是由于雪崩倍增过程中产生电子和空穴和无规则性所引起的，其性质和散弹噪声类似。雪崩噪声是雪崩二极管振荡器的噪声远高于其它振荡器的主要原因。

雪崩二极管工作原理

4，什么是雪崩光电二极管APD

指的是在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后，射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。

雪崩光电二极管偏压保护装置及电路申请号/专利号：200820117325本实用新型公开了一种雪崩光电二极管偏压保护装置及电路，其中，上述装置包括供电单元和雪崩光电二极管，还包括反馈部，其中，反馈部的输入端连接至供电单元的输出端；反馈部的第一输出端连接至供电单元的输入端；反馈部的第二输出端连接至APD的输入端。本实用新型通过对雪崩光电二极管提供偏压过载保护，防止雪崩光电二极管管芯烧毁，提高了雪崩光电二极管接收机的安全性，降低了维修成本。

apd雪崩光电二极管的相应速度快，光电增益高，说明apd雪崩光电二极管在收到光辐射的时候产生的光电子在apd雪崩光电二极管内部的渡越时间短，受激产生的光电子多，光电流大，这些特性的产生需要器件内部的载流子浓度大，而在工艺中就表现为重参杂。重点可以看看《半导体物理》《半导体器件物理》其中对载流子在半导体器件中的渡越时间的描述这个其实不是很复杂的可以到硬之城上面看看有没有这个型号有的话就能在上面找到它的技术资料

5，雪崩渡越时间二极管振荡器是什么

雪崩二极管，亦称为“碰撞雪崩渡越时间二极管”。是一种在外加电压作用下可以产生超高频振荡的半导体二极管。1958年由美国W.T.里德提出，所以又称里德二极管。这类二极管有各种结构：里德结构(即P NIN )、肖特基结构(M-N-N )高-低-高结构(H-L-H)、双漂移结构（DDR或P PNN ）等。所用材料主要有硅和砷化镓。除了PN结雪崩渡越二极管外，由于其工作机理的差别，还有俘获等离子体雪崩触发渡越时间二极管，金属-半导体-金属势垒渡越二极管，隧道雪崩渡越二极管等。雪崩二极管的工作原理是：利用p－n结的雪崩击穿在半导体中注入载流子，这些载流子渡越过晶片流向外电路。由于这一渡越需要一定的时间，因而使电流相对于电压出现一个时间延迟，适当控制渡越时间，在电流和电压的关系上会出现负阻效应，因而能够产生振荡。雪崩二极管具有功率大、效率高等优点。雪崩渡越二极管及其功率源可达到极高的工作频率，从几百兆赫至300吉赫都可以获得一定的微波功率。特别在毫米波波段，它是现代功率最大的固体器件，可连续波工作或脉冲工作，广泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。。其缺点是噪声比电子转移器件稍高。用雪崩渡越二极管制成的雪崩振荡器和锁定放大器用于微波通信、雷达、战术导弹。微波振荡器是在通信、雷达、电子对抗及测试仪器等各种微波系统中被广泛应用的重要部件之一。近年来，随着微波半导体器件的迅速发展，微波固态振荡器也得到迅速发展。目前已有晶体管振荡器（包括双极晶体管振荡器和场效应管振荡器）、转移电子振荡器（体效应振荡器）、雪崩二极管振荡器和隧道二极管振荡器等多种形式。其中隧道二极管振荡器因输出功率小、稳定性差几乎被淘汰。体效应振荡器和雪崩二极管振荡器发展极为迅速。如雪崩二极管振荡器振荡频率可高达几百吉赫以上；输出功率最大可达几十瓦以上；脉冲峰值功率，如限累二极管振荡器可高达几千瓦；微波三极管振荡器的效率最高，可达50%。各种微波固态振荡器各有不同的特点，可根据要求来选用。在毫米波频段，广泛采用雪崩管振荡器和耿氏管振荡器，与耿氏管相比雪崩管可获得更大的功率和更高的效率。雪崩二极管的雪崩倍增效应和渡越时间效应使得它具有负阻特性，其小信号阻抗ZD为：式中RD、XD为雪崩管电阻和电抗；Cd、θ为漂移区电容和渡越角；La、Ca是雪崩区电感和电容；ωa是雪崩频率。为了产生振荡，二极管的小信号电阻必须为负，而且其绝对值应大于负载电阻。当工作频率ω给定时，这一条件可以通过调节偏流密度从而改变雪崩频率来满足。随着振荡幅度I的增加，由于空间电荷对电场的影响，二极管阻抗发生变化，它是振幅和频率的函数，但由于它通常是频率的慢变化函数，所以在振荡器工作频率范围内，可不考虑频率的影响。当器件阻抗与电路阻抗满足以下条件，振荡器处于稳定振荡状态。式中Z(ω)为电路阻抗；ZD(I)为雪崩管阻抗；如果由于外界改变使振荡器的电抗发生变化，为了满足相位平衡，在谐振条件下，由外界因素引起的电抗的变化应该由频率变化所产生的电抗变化来补偿，假定外界的变化为Δα，则式中R、X为电路电阻和电抗；由此可见，回路电抗随外界因素变化率越大，频率稳定度越差；回路的有载品质因数越高，则频率稳定度越高。一般来说，雪崩管振荡器的缺点是频率稳定度较差。

6，什么是雪崩二极管

雪崩击穿是指pn结内做漂移运动的少子受强电场的加速作用获得很大的动能，当它与结内原子碰撞时，把其中的电子撞出来，产生新的电子空穴对，新产生的电子空穴对在电场的作用下，又去撞击其他的原子，这样下去，就像雪崩一样．这种情况一般发生在掺杂浓度较低，外加电压较大的情况下齐纳击穿是由于PN结中掺杂浓度高，形成的PN结很窄，即使是电压很低（5v一下）的情况下，结内电场也非常强，它可以把结内电子从共价键中拉出来引起反向电流的剧增我这答案不采纳，可就伤我心了啊！！！各位

PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管。。。。。。。。。。。。。。。。。。。这是相当简略的解释。。。我是学半导体的。。。。--------------------------------------------------------------------------------借光楼主，我对这个问题也不明白，请问liuking123：雪崩二极管和齐纳二极管有什么区别？雪崩二极管用在什么地方？稳压二极管应该是齐纳二极管；如蒙解释，万分感谢！雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩一样增加载流子。齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！！的PN结才做得到。（杂质大电荷密度就大）一般的二极管掺杂浓度没这么高，它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中，就是稳压二极管

雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。　　雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩一样增加载流子。　　齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大。只有在杂质浓度特别大的PN结才做得到。

常用的稳压二极管就是雪崩二极管还有光电二极管今天在《百度〉搜索网站输入关键词〈雪崩二极管〉搜到了许多关于雪崩二极管的内容，请上网搜一搜。你的问题就会得到满意的答案。qizhan

借光楼主，我对这个问题也不明白，请问liuking123：雪崩二极管和齐纳二极管有什么区别？雪崩二极管用在什么地方？稳压二极管应该是齐纳二极管；如蒙解释，万分感谢！非常感谢楼上的耐心解释；我是搞电子技术应用的，我好奇怪，还有我不知道的二极管？通过您的解释才想起，是楼主的问题不对；没有雪崩二极管，二极管的雪崩击穿是不可恢复的，是破坏性的；只有二极管的反向电压超过它的耐压值，才会发生雪崩击穿。

雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩一样增加载流子。齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，pn结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！！的pn结才做得到。（杂质大电荷密度就大）一般的二极管掺杂浓度没这么高，它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中，就是稳压二极管